[发明专利]一种混合等离子效应辅助的槽式波导TE模检偏器

权利要求书

1.一种混合等离子效应辅助的槽式波导TE模检偏器，其特征在于：该检偏器由下至上依次为硅基衬底（7）、掩埋氧化层（8）、检偏部件（14）和上包层（9），其中掩埋氧化层（8）生长于硅基衬底（7）的上表面，上包层（9）覆盖掩埋氧化层（8）的上表面，检偏部件（14）水平生长于掩埋氧化层（8）的上表面，并被上包层（9）覆盖；

所述检偏部件（14）包括输入光信号的输入波导（1）、过渡波导A（2）、直通波导（3）、过渡波导B（4）、输出波导（5）和右路直通波导（6）；

过渡波导A（2）连接输入波导（1）与直通波导（3）的一端；直通波导（3）的另一端连接过渡波导B（4）；过渡波导B（4）连接输出波导（5）；

右路直通波导（6）与直通波导（3）长度相同且对齐摆放；

直通波导（3）为非对称硅基槽式波导；输入波导（1）和输出波导（5）为对称硅基槽式波导；过渡波导A（2）和过渡波导B（4）为宽度渐变型硅基槽式波导，右路直通波导（6）为混合等离子波导。

2.根据权利要求1所述的混合等离子效应辅助的槽式波导TE模检偏器，其特征在于：右路直通波导（6）与直通波导（3）之间的距离为0.05~0.4μm。

3.根据权利要求1所述的混合等离子效应辅助的槽式波导TE模检偏器，其特征在于：所述非对称硅基槽式波导的结构为横向三明治结构，其中左右两层是硅波导层，两层硅波导层的中间部分为低折射率材料层。

4.根据权利要求1所述的混合等离子效应辅助的槽式波导TE模检偏器，其特征在于：所述的混合等离子波导的结构为三明治结构，其中底层是硅波导层，上层是金属覆盖层，底层与上层的中间部分为低折射率材料层。

5.根据权利要求4所述的混合等离子效应辅助的槽式波导TE模检偏器，其特征在于：所述的低折射率材料层的材料为二氧化硅或氮化硅，所述的金属覆盖层的金属材料为波长1.55μm情况下介电常数虚部值大于40的高损耗金属。

6.根据权利要求5所述的混合等离子效应辅助的槽式波导TE模检偏器，其特征在于：所述的介电常数虚部值大于40的高损耗金属为铬、铝或锌中的任意一种。

7.根据权利要求1所述的混合等离子效应辅助的槽式波导TE模检偏器，其特征在于：所述的非对称硅基槽式波导与混合等离子波导的尺寸满足以下条件：

1）非对称硅基槽式波导与混合等离子波导的TE模有效折射率实部相差大于0.3，相位失配；

2）非对称硅基槽式波导与混合等离子波导的TM模的有效折射率实部接近，相差小于0.2。

8.根据权利要求1所述的混合等离子效应辅助的槽式波导TE模检偏器，其特征在于：所述的硅基衬底（7）为标准尺寸的硅晶元，所述的掩埋氧化层（8）是在硅基衬底（7）上热生长的二氧化硅材料，所述的上包层（9）的材料为二氧化硅、聚甲基丙烯酸甲酯或者空气中的一种。

9.根据权利要求1所述的混合等离子效应辅助的槽式波导TE模检偏器，其特征在于：所述掩埋氧化层（8）的厚度为2~3 μm。