[发明专利]一种n型ZnO薄膜及其制备方法与QLED器件

权利要求书

1.一种QLED器件的制备方法，其特征在于，包括电子传输层的制备，所述电子传输层为n型ZnO薄膜，所述n型ZnO薄膜的制备方法包括步骤：

将锌盐、镁盐和铟盐溶解于有机溶剂中，形成混合溶液；

在混合溶液中加入碱液进行缩聚反应，得到含n型ZnO的溶液；

将含n型ZnO的溶液制成薄膜，得到所述n型ZnO薄膜；

在混合溶液中加入碱液进行缩聚反应的步骤中，所述碱摩尔量与溶解形成的Zn²⁺、Mg²⁺和In³⁺摩尔量之和的比为(1.8-2.5)：1；

将锌盐、镁盐和铟盐溶解于有机溶剂中的步骤中，按溶解形成的Zn²⁺摩尔量与Mg²⁺和In³⁺的摩尔量之和比为1：(0.001-0.007)，将所述锌盐、镁盐和铟盐溶解于有机溶剂中；

所述Mg²⁺和所述In³⁺的摩尔比为2～3：1。

2.根据权利要求1所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述锌盐选自醋酸锌、硝酸锌、氯化锌、硫酸锌或二水合乙酸锌。

3.根据权利要求1所述的QLED器件制备方法，其特征在于，所述镁盐选自氯化镁、硝酸镁、硫酸镁或铬酸镁；

和/或所述铟盐选自氯化铟、硫酸铟或硝酸铟；

和/或所述有机溶剂选自乙二醇甲醚、丙二醇甲醚、异丙醇、乙醇、丙醇、丁醇和丙酮中的一种或多种；

和/或所述碱液选自氨水、氢氧化钾、氢氧化纳、乙醇胺、乙二醇、二乙醇胺、三乙醇胺或乙二胺。

4.根据权利要求1所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，Zn²⁺摩尔量与Mg²⁺和In³⁺的摩尔量之和比为1：0.007，其中所述Mg²⁺和所述In³⁺的摩尔比为0.005:0.002。

5.根据权利要求1所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，在混合溶液中加入碱液进行缩聚反应的步骤中，所述缩聚反应的温度为50-70℃，缩聚反应的时间为2-4h。

6.一种QLED器件，其特征在于，采用权利要求1-5任一项所述的制备方法制备而成。