[发明专利]一种QLED器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201711349852.1 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN109935706A | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 王宇;曹蔚然;李龙基 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 界面层 量子点 制备 阳极 发光层 反型 阴极 溶液法制备 层叠设置 冲刷 溶解 | ||
1.一种QLED器件，包括层叠设置的阴极、量子点发光层和阳极，其特征在于，还包括设置于量子点发光层与阳极之间的界面层，所述界面层的材料为碳量子点。
2.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，还包括设置于界面层与阳极之间的空穴功能层。
3.根据权利要求2所述的QLED器件，其特征在于，所述空穴功能层为空穴传输层、空穴注入层中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，还包括设置于量子点发光层与阴极之间的电子功能层。
5.根据权利要求1-4任一所述的QLED器件，其特征在于，所述界面层的厚度为2-20nm。
6.一种QLED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供阴极；
在阴极上制备量子点发光层；
在量子点发光层上沉积碳量子点溶液，得到界面层；
在界面层上制备阳极，得到QLED器件。
7.根据权利要求6所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述在界面层上制备阳极的步骤之前,还包括：在界面层上制备空穴功能层。
8.根据权利要求6所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述在阴极上制备量子点发光层的步骤之前,还包括：在阴极上制备电子功能层。
9.根据权利要求6所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述碳量子点溶液由碳量子点分散于溶剂中配制而成，所述碳量子点的制备方法包括步骤：将醇胺与氧化剂混合，使醇胺与氧化剂反应得到碳量子点。
10.根据权利要求9所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述醇胺为乙醇胺；和/或所述氧化剂为双氧水。
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