[发明专利]用于功率电路的平行板波导结构

权利要求书

1.一种功率半导体封装体，包括：

衬底，所述衬底包括最下部金属层、最上部金属层、通过第一绝缘层与最下部金属层隔离开的第一中间金属层以及在所述第一中间金属层之上通过第二绝缘层与所述第一中间金属层隔离开并且在所述最上部金属层之下通过第三绝缘层与所述最上部金属层隔离开的第二中间金属层，所述最上部金属层被图案化成在所述衬底的宽度上平行延伸的多个条带；

第一组半导体裸片，所述第一组半导体裸片附连到所述最上部金属层的所述条带中的第一条带，并且均匀地分布在所述第一条带的宽度上；

第二组半导体裸片，所述第二组半导体裸片附连到所述最上部金属层的所述条带中的第二条带，并且均匀地分布在所述第二条带的宽度上；

第三组半导体裸片，所述第三组半导体裸片附连到所述最上部金属层的所述条带中的第三条带，并且均匀地分布在所述第三条带的宽度上；

第四组半导体裸片，所述第四组半导体裸片附连到所述最上部金属层的所述条带中的第四条带，并且均匀地分布在所述第四条带的宽度上；

第一DC端子，所述第一DC端子附连到所述最上部金属层的所述条带中的第五条带，并且均匀地分布在第五条带的宽度上；以及

第二DC端子，所述第二DC端子附连到所述最上部金属层的所述条带中的第六条带，并且均匀地分布在第六条带的宽度上，

其中，所述第一组半导体裸片串联电连接到所述第二组半导体裸片，

其中，所述第三组半导体裸片串联电连接到所述第四组半导体裸片，

其中，所述第一DC端子通过延伸穿过所述第三绝缘层和所述第二绝缘层并且与所述第二中间金属层隔绝开的多个导电过孔结构电连接到所述第一中间金属层，

其中，所述第二DC端子通过延伸穿过所述第三绝缘层的多个导电过孔结构电连接到所述第二中间金属层。

2.根据权利要求1所述的功率半导体封装体，其中，所述功率半导体封装体还包括：

第五组半导体裸片，所述第五组半导体裸片附连到所述最上部金属层的所述条带中的第七条带，并且均匀地分布在所述第七条带的宽度上；以及

第六组半导体裸片，所述第六组半导体裸片附连到所述最上部金属层的所述条带中的第八条带，并且均匀地分布在所述第八条带的宽度上，

其中，所述第五组半导体裸片串联电连接到所述第六组半导体裸片。

3.根据权利要求2所述的功率半导体封装体，其中，所述功率半导体封装体还包括：

第一AC端子，所述第一AC端子附连到所述最上部金属层的所述第二条带，并且均匀地分布在所述第二条带的宽度上；

第二AC端子，所述第二AC端子附连到所述最上部金属层的所述第四条带，并且均匀地分布在所述第四条带的宽度上；以及

第三AC端子，所述第三AC端子附连到所述最上部金属层的所述第八条带，并且均匀地分布在所述第八条带的宽度上。

4.根据权利要求2所述的功率半导体封装体，其中，所述功率半导体封装体还包括：

附连到所述第二中间金属层的两个条带并且将所述第二中间金属层的所述两个条带连接的多个电容器，

其中，所述第二中间金属层的所述两个条带在所述第二中间金属层的宽度上平行延伸，

其中，所述电容器均匀地分布在所述第二中间金属层的宽度上。