[发明专利]空穴传输材料、QLED器件及其制备方法

权利要求书

1.一种QLED器件，其特征在于，所述QLED器件包括空穴传输层，所述空穴传输层的材料含有p型金属氧化物纳米颗粒和分散在所述p型金属氧化物纳米颗粒中的石墨炔；其中，所述石墨炔用于提高所述p型金属氧化物纳米颗粒的本征空穴生成能力、降低所述p型金属氧化物纳米颗粒的载流子传输势垒以及提高空穴传输层的传输效率。

2.如权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述石墨炔与所述p型金属氧化物纳米颗粒的质量比为（2-10）：100。

3.如权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述石墨炔选自石墨炔纳米微球、石墨炔纳米线、石墨炔纳米棒和石墨炔纳米锥中的至少一种。

4.如权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述p型金属氧化物纳米颗粒选自氧化镍纳米颗粒、氧化钼纳米颗粒、氧化钒纳米颗粒和氧化钨纳米颗粒中的至少一种。

5.一种QLED器件的制备方法，所述QLED器件为正置型QLED器件，且所述QLED器件包括空穴传输层，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

提供基板，所述基板上设置有阳极；

提供分散有石墨炔、p型金属氧化物纳米颗粒的混合胶体溶液，将所述混合胶体溶液沉积在所述阳极上，干燥得所述空穴传输层；

其中，所述石墨炔用于提高所述p型金属氧化物纳米颗粒的本征空穴生成能力、降低所述p型金属氧化物纳米颗粒的载流子传输势垒以及提高空穴传输层的传输效率。

6.如权利要求5所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述石墨炔选自石墨炔纳米微球、石墨炔纳米线、石墨炔纳米棒和石墨炔纳米锥中的至少一种。

7.如权利要求5所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述混合胶体溶液中的p型金属氧化物纳米颗粒的浓度为：50mg/mL-120mg/mL；和/或

所述p型金属氧化物纳米颗粒选自氧化镍纳米颗粒、氧化钼纳米颗粒、氧化钒纳米颗粒和氧化钨纳米颗粒中的至少一种。

8.如权利要求5所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述干燥的条件为：温度110℃-130℃，时间10min -20min。

9.一种QLED器件的制备方法，所述QLED器件为反置型QLED器件，且所述QLED器件包括空穴传输层，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

提供基板，所述基板上设置有量子点发光层；

提供分散有石墨炔、p型金属氧化物纳米颗粒的混合胶体溶液，将所述混合胶体溶液沉积在所述量子点发光层上，干燥得所述空穴传输层；

其中，所述石墨炔用于提高所述p型金属氧化物纳米颗粒的本征空穴生成能力、降低所述p型金属氧化物纳米颗粒的载流子传输势垒以及提高空穴传输层的传输效率。