[发明专利]发光器件及其制备方法在审
申请号: | 201711351218.1 | 申请日: | 2017-12-15 |
公开(公告)号: | CN109935734A | 公开(公告)日: | 2019-06-25 |
发明(设计)人: | 杨一行;曹蔚然;钱磊;向超宇 | 申请(专利权)人: | TCL集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 官建红 |
地址: | 516006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制备 发光器件 树脂薄膜 衬底 器件表面 复合膜 活性剂 薄膜封装 层叠设置 方法适合 提升器件 无机薄膜 封装 | ||
本发明涉及一种发光器件及其制备方法。该发光器件的制备方法,包括如下步骤:提供柔性衬底,所述柔性衬底设置有QLED器件;利用Barix封装技术在所述QLED器件表面形成第一复合膜,所述第一复合膜由层叠设置的第一树脂薄膜和第一无机薄膜组成,所述第一树脂薄膜形成在所述QLED器件表面,所述第一树脂薄膜中含有活性剂。本发明的制备方法适合于柔性衬底的薄膜封装方式下活性剂的添加,可以达到提升器件效率的有益效果。
技术领域
本发明属于量子点技术,具体涉及一种发光器件及其制备方法。
背景技术
基于量子点的电致发光技术也就是量子点发光二极管(QLED)技术,由于其作为新一代显示技术的巨大潜力近年来受到越来越多的关注。QLED显示技术的优势来源于量子点这种特殊纳米材料所具有诸如独特的纳米性质,例如发射波长连续可调、发光波长窄、发光强度高、荧光寿命长、稳定性高等。近年来,QLED器件的性能如效率和寿命也获得了稳步的提高。
QLED器件的性能可以通过多种多样的途径来提高。已有技术方案中揭露,可以通过在封装树脂中或者在QLED器件结构中添加活性成分如丙烯酸、苯甲酸、丁烯酸等非饱和羧酸,或者乙酸、丙酸、丁酸等饱和羧酸,通过这些活性成分与QLED器件的相互作用(通常作用时间为4天或以上)来有效提升器件的效率。然而在这项技术方案中活性成分需添加在封装树脂中,然后通过玻璃盖板实现封装,这里所采用的玻璃盖板加封装树脂的封装方式只能适合以玻璃作为衬底的QLED器件,而对于柔性衬底是无法通过上述技术方案来实现活性成分的添加、并且同时达到有效的封装以及活性成分对于QLED器件的有效作用的。基于上述分析,现有技术方案有待改进。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的上述不足,提供一种发光器件及其制备方法,旨在解决现有玻璃盖板加封装树脂的封装方式只能适合以玻璃作为衬底的发光器件,而对于柔性衬底无法实现活性剂添加达到有效作用的技术问题。
为实现上述发明目的,本发明采用的技术方案如下:
本发明一方面提供一种发光器件的制备方法,包括如下步骤:
提供柔性衬底,所述柔性衬底上制备有QLED器件;
利用Barix封装技术在所述QLED器件表面形成第一复合膜,所述第一复合膜由层叠设置的第一树脂薄膜和第一无机薄膜组成,所述第一树脂薄膜形成在所述QLED器件表面,所述第一树脂薄膜中含有活性剂。
本发明另一方面提供一种发光器件,包括柔性衬底和设置在所述柔性衬底上的QLED器件,所述QLED器件上设置有第一复合膜;所述第一复合膜由层叠设置的第一树脂薄膜和第一无机薄膜组成,所述第一树脂薄膜设置在所述QLED器件表面,所述第一树脂薄膜中含有活性剂。
本发明提供的发光器件的制备方法,特别适用于以柔性衬底的QLED器件封装,其对柔性衬底的QLED器件进行了有效封装,该制备方法中实现了活性成分的活性剂的添加,使之达到提升QLED器件效率;因此,本发明的制备方法适合于柔性衬底的薄膜封装方式下活性剂的添加,可以达到提升器件效率的有益效果。
本发明提供的发光器件,对柔性衬底的QLED器件进行了有效封装,实现了活性成分的活性剂的添加,使之达到提升QLED器件效率的有益效果。
附图说明
图1为本发明中发光器件的制备方法原理图。
具体实施方式
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
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