[发明专利]发光二极管器件及其制备方法

说明书

本发明属于量子点领域，具体涉及一种发光二极管器件及其制备方法。钙发光二极管，包括层叠设置的阳极、复合发光层、电子传输层和阴极，所述复合发光层含有钙钛矿量子点材料和非钙钛矿量子点材料，所述电子传输层含有接枝有缺陷态钝化剂的电子传输材料。该发光二极管不仅可以促进载流子传输性能，而且可以有效避免缺陷态基团与复合发光层中的钙钛矿量子点材料发生甲基铵阳离子去质子化，从而优化钙钛矿量子点材料在发光二极管器件中的应用效果，促进钙钛矿量子点材料与非钙钛矿量子点材料的协同作用产生激发态络合物电致发光，提升了发光二极管的发光效率及器件的稳定性。

技术领域

本发明属于量子点领域，具体涉及一种发光二极管器件及其制备方法。

背景技术

发光二极管器件一般包括发光层，电极以及在这两者之间的功能层，其中功能层一般包括有空穴注入层，空穴传输层，电子注入层，电子传输层等。人们不断改进各层材料结构以改善器件的性能。胶体量子点因其荧光效率高、单色性好，发光波长可调控和稳定性好而在显示器件领域有着可观的应用前景。基于量子点的发光二极管(量子点发光二极管，Quantum dot light-emitting diode,QLED)具有更好的色彩饱和度、能效色温以及寿命长等优点，有望成为下一代固体照明和平板显示的主流技术。近年来有研究人员注意到钙钛矿材料优异的光电性能，如发光峰尖锐，半高宽狭窄，载流子传输效率高，原料来源丰富且价格低廉等优点，将其应用于各种发光器件如量子点发光二极管器件QLED、有机发光二极管OLED中，比如将有机-无机钙钛矿材料与发光材料组合作为复合发光层。发光二极管器件的电子传输层不仅要求有着优秀的电子传输能力和能带结构，而且应当能使制备的发光二极管器件具有更好的稳定性。但是由于目前一些方法制备的电子传输层材料，比如某些使用溶液法生成的纳米ZnO、TiO₂、Nb:SnO₂等材料表面存在着表面缺陷态包括氢氧基团和羧酸盐基团等，表面缺陷态会作为界面复合中心影响载流子的输运，而氢氧化物基团的存在更会使得在制备器件的过程中，与这些电子传输层材料接触的钙钛矿材料在退火时受退火温度与时间的影响而出现不同程度的甲基铵阳离子去质子化，严重影响钙钛矿材料在发光二极管器件中的应用效果和器件的稳定性。因此现有技术还有待改进。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种发光二极管器件及其制备方法，旨在解决现有发光二极管中的电子传输材料表面存在表面缺陷态，以致影响载流子传输性能和QLED的发光效率、稳定性的技术问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明一方面提供一种发光二极管，包括层叠设置的阳极、复合发光层、电子传输层和阴极，所述复合发光层含有钙钛矿量子点材料和非钙钛矿量子点材料，所述电子传输层含有接枝有缺陷态钝化剂的电子传输材料。

本发明提供的发光二极管中，含有钙钛矿量子点材料与非钙钛矿量子点材料联合发光组成的复合发光层，同时电子传输层含有接枝有缺陷态钝化剂的电子传输材料，缺陷态钝化剂(即指可钝化电子传输材料缺陷态的物质)通过对电子传输材料进行表面改性，钝化电子传输材料进的表面缺陷态，不仅可以促进载流子传输性能，而且可以有效避免缺陷态基团与复合发光层中的钙钛矿量子点材料发生甲基铵阳离子去质子化，从而优化钙钛矿量子点材料在发光二极管器件中的应用效果，促进钙钛矿量子点材料与非钙钛矿量子点材料的协同作用产生激发态络合物电致发光，提升了发光二极管的发光效率及器件的稳定性。

本发明另一方面提供一种上述发光二极管的制备方法，包括如下步骤：

提供所述阳极；

在所述阳极上沉积所述复合发光层；

在所述复合发光层上沉积所述电子传输层；

在所述电子传输层上沉积所述阴极。