[发明专利]TFT阵列基板全接触式测试线路

说明书

本发明提供一种TFT阵列基板全接触式测试线路，将测试芯片(5)设于面板切割界线(7)之外，允许测试芯片(5)上的各测试端子(51)的尺寸以及相邻测试端子(51)之间的距离加大，能够提高测试设备接触测试端子(51)的成功率；测试芯片(5)在面板切割时被切割掉，且连接测试端子(51)与驱动芯片(3)上驱动端子(31)的走线(35)由与TFT阵列基板内TFT的有源层同层的半导体(S)制作而成，能够防止面板切割后发生线路腐蚀与静电放电的风险；由于测试芯片(5)在面板切割时被切割掉，测试端子(51)上无需覆盖绝缘的有机层，从而允许在制作出TFT阵列基板内TFT的源/漏极后及在TFT阵列基板全部制作完成的情况下都可以进行测试。

技术领域

本发明涉及显示面板检测技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板全接触式测试线路。

背景技术

有机发光二极管显示面板(Organic Light Emitting Display，OLED)由于同时具备自发光，不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异特性，被认为是下一代平面显示器的新兴应用技术。

OLED显示面板按照驱动类型可分为无源矩阵型(Passive Matrix，PM)OLED和有源矩阵型(Active Matrix，AM)OLED两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)矩阵寻址两类。AMOLED显示面板包括TFT阵列基板，在所述TFT阵列基板上设有呈阵列式排布的像素(Pixel)。

在AMOLED显示面板的TFT阵列基板的制作过程中，会对其进行全接触式测试(FullContact Test)(所谓全接触式测试即对每个像素都进行测试)，通过测试设备向TFT阵列基板输入像素驱动信号、GOA驱动信号等一系列的驱动信号，以输出显示区扫描信号(Gate)和发光信号(EM)。

由于进行全接触式测试时会对每个像素进行回路电流测试，故而TFT阵列基板内的每条数据线(Data Line)都需要信号给入。请参阅图1，现有的TFT阵列基板全接触式测试线路包括多条数据线100、设于所述多条数据线100的扇出区(Fan out)101之外的测试芯片300及设于所述测试芯片300远离所述扇出区101一侧的驱动芯片(COF)500，并且所述测试芯片300与驱动芯片500均位于AMOLED显示面板的切割界线700之内；所述测试芯片300包括多个测试端子301，一测试端子301对应电性连接一数据线100；所述驱动芯片500包括多个驱动端子501，一驱动端子501通过一金属走线350电性连接一对应的测试端子301。结合图1与图3，所述测试端子301、驱动端子501及金属走线350均采用与TFT阵列基板内TFT的源/漏极同层的金属M制作。随着AMOLED显示面板解析度的增加，所述数据线100的数量增多，所述测试芯片300内测试端子301的数量相应增多，这样会引发一些设计和工艺方面的风险，例如：

A、所述测试芯片300内测试端子301的数量众多，排布较密集，测试设备接触所述测试端子301的成功率降低；

B、所述测试芯片300位于所述驱动芯片500到数据线100的扇出区101之间，TFT阵列基板全接触式测试完成后，后续会进行OLED制程，封装的边界将不会到达此区域，造成所述测试芯片300内的测试端子301裸露，加大了由于杂质颗粒(Particle)掉落在各测试端子301上造成测试端子301之间短路的风险以及由于水氧进入测试端子301或金属走线350造成腐蚀的风险；

C、随着所述测试芯片300内测试端子301的数量增多，全部测试端子301所占的金属面积较大，金属的导电性良好，有静电放电(Electro-Static Discharge，ESD)的风险。