[发明专利]用于系统级封装的防静电转接板

权利要求书

1.一种用于系统级封装的防静电转接板，其特征在于，包括：

Si衬底(101)；

器件区(102)，设置于所述Si衬底(101)内，包括SCR管(1021)和隔离区(1022)，所述隔离区(1022)上下贯通所述Si衬底(101)以在所述Si衬底(101)内对所述SCR管(1021)进行隔离；

TSV区，包括第一TSV区(1031)和第二TSV区(1032)，设置于所述器件区(102)的两侧，所述TSV区内的填充材料为铜；

所述第一TSV区、所述第二TSV区与所述隔离区的深度一致；

第一绝缘层(104)，设置于所述Si衬底(101)的上表面；

第二绝缘层(105)，设置于所述Si衬底(101)的下表面；

互连线(106)，设置于所述第一绝缘层(104)内，用于连接所述TSV区的第一端面和所述SCR管(1021)，所述互连线围绕成螺旋状；

每两个隔离沟槽位于两个TSV之间；隔离沟槽内填充有SiO₂；SCR管器件周边被SiO₂绝缘层包围；在TSV制作粘附层和种子层，粘附层的材料为钛或钽，种子层的材料为铜，在TSV内填充铜材料。

2.根据权利要求1所述的防静电转接板，其特征在于，所述SCR管包括：N阱区和P阱区；其中，所述N阱区包括N阱接触区和阳极；所述P阱区包括阴极和P阱接触区。

3.根据权利要求2所述的防静电转接板，其特征在于，所述互连线(106)包括：第一互连线(1061)和第二互连线(1062)；其中，所述第一互连线(1061)用于连接所述第一TSV区(1031)的第一端面、所述N阱接触区和所述阳极；所述第二互连线(1062)用于连接所述第二TSV区(1032)的第一端面、所述阴极和所述P阱接触区。

4.根据权利要求3所述的防静电转接板，其特征在于，所述N阱区的掺杂杂质为磷，掺杂浓度优选1×10¹⁷cm^-3；所述P阱区的掺杂杂质为硼，掺杂浓度优选1×10¹⁸cm^-3。

5.根据权利要求1所述的防静电转接板，其特征在于，还包括铜凸点(107)，设置于所述第一TSV区(1031)和所述第二TSV区(1032)的第二端面上。

6.根据权利要求1所述的防静电转接板，其特征在于，所述互连线(106)的材料为铜。

7.根据权利要求1所述的防静电转接板，其特征在于，所述Si衬底(101)的掺杂类型为P型，掺杂浓度为1×10¹⁴cm^-3，厚度为80～120μm。

8.根据权利要求1所述的防静电转接板，其特征在于，所述隔离区和所述TSV区的深度为80～120μm。