[发明专利]一种封装薄膜及其制备方法、光电器件

权利要求书

1.一种封装薄膜，其特征在于，包括层叠设置的陶瓷膜以及散热膜，所述散热膜由碳化物组成，在所述陶瓷膜与所述散热膜界面处的陶瓷膜表面掺杂有碳离子并形成碳离子注入层。

2.根据权利要求1所述的封装薄膜，其特征在于，所述陶瓷膜包括陶瓷材料，所述陶瓷材料为氧化硅、氧化铝、氧化锌、氧化钛和氧化钨中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的封装薄膜，其特征在于，所述碳化物为碳化硅、碳化硼、碳化钛、碳化锆、碳化钒和类金刚石中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的封装薄膜，其特征在于，所述陶瓷膜的厚度为100-300nm；和或所述散热膜的厚度为500-1000nm。

5.根据权利要求1所述的封装薄膜，其特征在于，所述碳离子为C₁₂⁺或C₁₄⁺。

6.一种封装薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：

提供待封装器件，在所述器件表面沉积陶瓷膜；

在所述陶瓷膜表面注入碳离子，形成碳离子注入层；

在所述碳离子注入层表面沉积散热膜，所述散热膜由碳化物组成。

7.根据权利要求6所述的封装薄膜的制备方法，其特征在于，在所述器件表面沉积陶瓷膜包括：采用射频溅射法在所述器件表面沉积陶瓷膜，其中，溅射功率为60-100W；和/或溅射气压为0.6-1Pa；和/或溅射速率为10-30nm/min。

8.根据权利要求6所述的封装薄膜的制备方法，其特征在于，在所述陶瓷膜表面注入碳离子包括：在加速电压为50-70 KV的条件下，往所述陶瓷膜表面注入剂量为10¹⁵-10¹⁷ cm^-2的碳离子源，在所述陶瓷膜表面生成碳离子注入层。

9.根据权利要求6所述的封装薄膜的制备方法，其特征在于，在所述碳离子注入层表面沉积散热膜包括：采用PECVD法在所述碳离子注入层表面沉积散热膜，其中，沉积速率为20-30nm/min；和/或沉积功率为100-300W。

10.一种光电器件，包括第一电极、发光层以及第二电极，其特征在于，所述第二电极上设置有封装薄膜，所述封装薄膜为权利要求1-5任一项所述的封装薄膜, 或所述封装薄膜为权利要求6-9任一项所述方法制备的封装薄膜，所述陶瓷膜与所述第二电极叠合。