[发明专利]基于BJT的集成电路抗静电转接板及其制备方法

权利要求书

1.一种基于BJT的集成电路抗静电转接板的制备方法，其特征在于，包括：

(a)选取硅基衬底；

(b)在所述硅基衬底中第一指定区域与第二指定区域分别制作TSV孔与隔离沟槽；

(c)分别对所述隔离沟槽与所述TSV孔进行填充；

(d)在所述硅基衬底中第三指定区域制作BJT；

(e)去除所述硅基衬底底部部分材料，以在所述硅基衬底底部露出所述TSV孔、所述隔离沟槽及所述BJT；

(f)在所述TSV孔与所述BJT表面制作金属互连线以使所述TSV孔与所述BJT相连接。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(b)包括：

(b1)采用光刻工艺，在所述硅基衬底上制作第一待刻蚀区域与第二待刻蚀区域；

(b2)采用深度反应离子刻蚀工艺，在所述第一待刻蚀区域与所述第二待刻蚀区域刻蚀所述硅基衬底，分别形成所述TSV孔与所述隔离沟槽。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(c)之前还包括：

(x1)采用热氧化工艺，在所述TSV孔与所述隔离沟槽的内壁形成氧化层；

(x2)采用湿法刻蚀工艺，选择性刻蚀所述氧化层以使所述TSV孔与所述隔离沟槽的内壁平整。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(c)包括：

(c11)采用光刻工艺，在所述硅基衬底表面形成隔离沟槽填充区域；

(c12)采用化学气相淀积工艺，通过所述隔离沟槽填充区域在所述隔离沟槽内淀积二氧化硅以完成对所述隔离沟槽的填充。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(c)还包括：

(c21)采用光刻工艺，在所述硅基衬底表面形成TSV孔填充区域；

(c22)采用化学气相淀积工艺，通过所述TSV孔填充区域在所述TSV孔内淀积多晶硅材料，并引入掺杂气体对所述多晶硅材料进行原位掺杂以完成对所述TSV孔的填充。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(d)包括：

(d1)采用光刻工艺，在所述硅基衬底上制作第三待刻蚀区域；

(d2)采用干法刻蚀工艺，在所述第三待刻蚀区域刻蚀所述硅基衬底，形成器件沟槽；

(d3)采用CVD工艺，在所述器件沟槽中淀积硅材料；

(d4)对所述硅材料进行掺杂以形成所述BJT的基区；

(d5)采用带胶离子注入工艺，在所述基区中第一指定区域进行P+离子注入以形成基区接触区；

(d6)采用带胶离子注入工艺，在所述基区中第二指定区域进行N+离子注入以形成所述BJT的发射区；

(d7)采用带胶离子注入工艺，在所述硅基衬底中的基区下方进行N+离子注入以形成所述BJT的集电区。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤(f)包括：

(f1)在所述TSV孔与所述BJT上下表面制作插塞；

(f2)在述TSV孔与所述BJT上表面的所述插塞上制作所述金属互连线以使所述TSV孔与所述BJT相连接；

(f3)在述TSV孔与所述BJT下表面的所述插塞上制作凸点。

8.一种基于BJT的集成电路抗静电转接板，其特征在于，包括硅基衬底、TSV孔、隔离槽、BJT、插塞、金属互连线、凸点及钝化层；其中，所述集成电路抗静电转接板由权利要求1～8任一项所述的方法制备形成。