[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括衬底、半导体层、介质层、源极、栅极和漏极。其中，所述栅极在靠近所述半导体层的一侧具有第一弧形面。所述介质层上开设有与所述栅极对应的栅槽，所述栅极的材料填充于该栅槽，所述栅槽与所述栅极接触的侧面的至少一部分为第二弧形面，该第二弧形面从介质层远离半导体层的表面往半导体层方向延伸。本发明实施例中通过这样半导体器件结构，可以使得半导体器件的电势梯度变得更加平缓。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种半导体器件及其制造方法。

背景技术

氮化镓HEMT(High Electron Mobility Transistor，高电子迁移率晶体管)器件由于其半导体材料具有禁带宽度大、电子饱和漂移速率高、击穿场强高、耐高温等显著优点，适合于制作高温、高压、高频和大功率的电子器件，具有广阔的应用前景。但现有的氮化镓器件的电势梯度不够平缓。

发明内容

鉴于以上内容，本发明实施例的目的在于提供一种半导体器件及其制造方法，以改善上述问题。

本发明提供的技术方案如下：

一种半导体器件，包括：

衬底；

制作于所述衬底一侧的半导体层；

制作于所述半导体层远离所述衬底一侧的源极、漏极，以及位于源极和漏极之间的栅极，其中，所述栅极在靠近所述漏极一侧靠近所述半导体层的侧面至少一部分具有第一弧形面。

进一步地，所述栅极靠近所述半导体层的侧面还包括第一平面，所述第一平面从所述第一弧形面延伸至所述半导体层。

进一步地，所述第一平面的长度占所述栅极靠近所述半导体层的侧面总长度的比例为X，其中，0≤X≤0.95。

进一步地，所述栅极靠近所述半导体层的侧面总长度在所述半导体层所在平面的投影的长度与所述侧面到栅极底部所在平面的垂直距离的比例为Y，其中，0.3≤Y≤7。

进一步地，所述栅极的第一弧形面在远离半导体层的一侧包括第三平面。

进一步地，该半导体器件还包括制作于所述半导体层远离所述衬底一侧，位于所述源极和漏极之间的介质层；所述栅极制作于所述介质层远离所述半导体层一侧；其中，

所述介质层上开设有与所述栅极对应的栅槽，所述栅极的材料填充于该栅槽并覆盖该栅槽，所述栅槽与所述栅极靠近所述漏极一端接触的侧面的其中至少一部分形成第二弧形面，该第二弧形面从介质层远离半导体层的表面往半导体层方向延伸。

进一步地，所述栅槽的第二弧形面靠近所述半导体层的一侧还包括第二平面。

进一步地，所述第二弧形面从所述介质层远离所述半导体层的表面延伸至所述半导体层。

进一步地，所述栅槽贯穿所述介质层并延伸至所述半导体层内。

进一步地，所述栅极或者所述栅槽在靠近所述源极一端的侧面的至少一部分形成所述第一或第二弧形面。

进一步地，所述第一平面与所述半导体层的夹角大于或等于25°，小于或等于85°。

进一步地，所述第二平面与所述半导体层的夹角大于或等于25°，小于或等于85°。

本发明还提供了一种半导体器件的制造方法，包括：

提供一衬底；

在所述衬底一侧制作半导体层；

在所述半导体层远离所述衬底的一侧制作源极和漏极；