[发明专利]具有高台阶结构的硅片表面光刻方法

权利要求书

1.一种具有高台阶结构的硅片表面光刻方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、提供硅片、光刻胶以及溶剂，所述硅片的表面具有台阶结构，所述台阶结构的高度为100至500μm；所述台阶结构包括台阶顶部、台阶底部、衔接所述台阶顶部和台阶底部的台阶侧壁以及尖角；

S2、将所述硅片置于烘箱中进行HMDS涂布；

S3、将HMDS涂布后的硅片放在喷涂机台上，再将所述光刻胶和溶剂以一定比例配制混合均匀，然后通过所述喷涂机台以喷涂的方式在硅片上进行光刻胶涂布；

S4、将光刻胶涂布后的硅片放在双面曝光机上，根据涂胶膜的厚度调整曝光系数，在所述台阶顶部和台阶底部同时进行曝光处理，最后通过显影在所述台阶顶部和台阶底部形成光刻图形。

2.如权利要求1所述的具有高台阶结构的硅片表面光刻方法，其特征在于，步骤S1中，所述硅片经过氢氧化钾湿法腐蚀或深硅刻蚀处理，以形成所述台阶结构。

3.如权利要求1或2所述的具有高台阶结构的硅片表面光刻方法，其特征在于，所述台阶结构的宽度为500至1200μm。

4.如权利要求1或2所述的具有高台阶结构的硅片表面光刻方法，其特征在于，所述台阶结构的长度为1至15㎝。

5.如权利要求1或2所述的具有高台阶结构的硅片表面光刻方法，其特征在于，相邻所述台阶结构的距离为1.6至8μm。

6.如权利要求1所述的具有高台阶结构的硅片表面光刻方法，其特征在于，步骤S3中，所述光刻胶与溶剂的体积比为1:2至1:20。

7.如权利要求1或6所述的具有高台阶结构的硅片表面光刻方法，其特征在于，步骤S3中，在所述光刻胶涂布过程中，所述台阶底部的涂胶膜厚度大于2μm，和/或，所述台阶顶部的涂胶膜厚度大于3μm，和/或，所述台阶侧壁和尖角的涂胶膜厚度大于1μm。