[发明专利]基于二极管的集成电路抗静电转接板及其制备方法

权利要求书

1.一种基于二极管的集成电路抗静电转接板的制备方法，其特征在于，包括：

(a)选取硅基衬底；

(b)在所述硅基衬底中二极管、TVS孔及隔离沟槽；

(c)在所述TSV孔与所述二极管上表面制作金属互连线以使所述TSV孔与所述二极管相连接

(d)去除所述硅基衬底底部部分材料，以在所述硅基衬底底部露出所述TSV孔、所述隔离沟槽及所述二极管；

(e)在所述TSV孔与所述二极管下表面制作凸点。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硅基衬底的掺杂浓度为3×1014～5×1017cm-3。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(b)包括：

(b11)采用光刻工艺，在所述硅基衬底上表面制作第一待刻蚀区域；

(b12)采用干法刻蚀工艺，在所述第一待刻蚀区域刻蚀所述硅基衬底，形成器件沟槽；

(b13)采用化学气相淀积工艺，在所述器件沟槽中淀积第一多晶硅层，并引入第一掺杂气体对所述第一多晶硅层进行原位掺杂，形成N+多晶硅层；

(b14)采用化学气相淀积工艺，在所述器件沟槽中淀积第二多晶硅层，并引入第二掺杂气体对所述第二多晶硅层进行原位掺杂，形成N-多晶硅层；

(b15)采用化学气相淀积工艺，在所述器件沟槽中淀积第三多晶硅层，并引入第三掺杂气体对所述第三多晶硅层进行原位掺杂，形成P+多晶硅层；

其中，所述P+多晶硅层、所述N-多晶硅层及所述N+多晶硅层形成二极管结构。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤(b)还包括：

(b21)采用光刻工艺，在所述硅基衬底上制作第二待刻蚀区域与第三待刻蚀区域；

(b22)采用深度反应离子刻蚀工艺，在所述第二待刻蚀区域与所述第三待刻蚀区域刻蚀所述硅基衬底，分别形成所述TSV孔与所述隔离沟槽；

(b23)采用等离子增强化学气相淀积工艺，在所述TSV孔与隔离沟槽内壁淀积二氧化硅材料作为绝缘层；

(b24)采用湿法刻蚀工艺，选择性刻蚀所述氧化层以使所述TSV孔与所述隔离沟槽的内壁平整。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(b)还包括：

(b31)采用光刻工艺，在所述隔离沟槽表面形成第一填充区域；

(b32)在690～710℃的温度下，采用化学气相淀积工艺，通过所述第一填充区域在所述隔离沟槽中填充二氧化硅材料；

(b33)采用光刻工艺，在所述TSV孔表面形成第二填充区域；

(b34)采用物理气相淀积工艺，通过所述第二填充区域在所述TSV孔中填充铜材料。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤(c)包括：

(c1)采用等离子增强化学气相淀积工艺，在包括所述TSV孔、所述隔离沟槽及所述P+区域的整个材料上表面淀积二氧化硅材料作为第一钝化层；

(c2)采用干法刻蚀工艺，选择性刻蚀所述第一钝化层，在所述TSV孔与所述P+区域表面形成第一插塞孔；

(c3)采用化学气相淀积工艺，在所述第一插塞孔中淀积钨材料作为第一插塞；

(c4)采用电化学镀铜工艺，在所述第一插塞表面生长铜材料作为金属互连线以使所述TSV孔与所述二极管相连接。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤(f)包括：

(d1)采用机械磨削工艺，对所述硅基衬底进行减薄处理；

(d2)采用化学机械抛光工艺，对所述硅基衬底底部进行平整化处理，以露出所述TSV孔、所述隔离沟槽及所述二极管。