[发明专利]一种丢失离子注入晶圆记录后的补救方法

说明书

本发明提供了一种丢失离子注入晶圆记录后的补救方法，应用在离子注入工艺中，包括以下步骤：获取问题晶圆当前的离子注入量与第二检测值之间的比值；提供一测试晶圆，根据比值于测试晶圆上注入离子形成一与问题晶圆等效的测试晶圆；终止对测试晶圆的注入，离子注入设备根据对测试晶圆的离子注入过程形成一新的晶圆注入记录；离子注入设备根据新的晶圆注入记录对问题晶圆执行离子注入，最终使问题晶圆完成离子完全注入。其技术方案的有益效果在于，克服了现有技术中当离子注入设备出现异常故障(比如系统软件坏死)，离子设备无法获得关于问题晶圆的注入记录即获得问题晶圆补救方法的问题。

技术领域

本发明涉及半导体制备技术领域，尤其涉及一种丢失离子注入晶圆记录后的补救方法。

背景技术

离子注入工艺，是指将加速到一定高能量的离子束注入固体材料表面层内，以改变表面层物理和化学性质的工艺。在半导体晶圆离子注入工艺过程中，经常会碰到离子注入设备发生故障，导致有些晶圆没有完成全部的注入工序，需要通过人工补救。而现有的离子注入设备对于一般的设备异常报警而产生的晶圆部分注入，离子注入设备上会有该晶圆的注入记录，同时会生成一个补救的程序，该离子注入设备只要运行这个补救程序就可以对问题晶圆完成全部注入，但离子注入机有些故障(比如系统软件坏死)，机台上就没有问题晶圆的注入记录，也不会生成一个补救的程序，此时会严重影响注入的效率使最终注入的产品良率降低。

发明内容

针对现有技术中离子注入设备进行离子注入存在的上述问题，现提供一种旨在当离子注入设备出现异常故障，且未形成问题晶圆的注入记录的状态下，通过测试晶圆与标准晶圆以及问题晶圆之间的对应关系生成一对问题晶圆的执行离子注入的新的晶圆注入记录，从而根据新的晶圆注入记录使所述问题晶圆完成离子完全注入的补救方法。

具体技术方案如下：

一种丢失离子注入晶圆记录后的补救方法，应用在离子注入工艺中，其中，提供一离子注入设备；

提供一标准晶圆，所述标准晶圆表示所述离子注入设备进行离子注入时完全注入的晶圆，获取表示所述标准晶圆中的晶格损伤程度的第一检测值；

提供一问题晶圆，所述问题晶圆表示所述离子注入设备在进行离子注入时出现故障未完全注入的晶圆，获取表示所述问题晶圆中的晶格损伤程度的第二检测值；

包括以下步骤：

步骤S1、获取所述问题晶圆当前的离子注入量与所述第二检测值之间的比值；

步骤S2、提供一测试晶圆，根据所述比值于所述测试晶圆上注入离子形成一与所述问题晶圆等效的所述测试晶圆；

步骤S3、终止对所述测试晶圆的注入，所述离子注入设备根据对所述测试晶圆的离子注入过程形成一新的晶圆注入记录；

步骤S4、所述离子注入设备根据所述新的晶圆注入记录对所述问题晶圆执行离子注入，最终使所述问题晶圆完成离子完全注入。

优选的，提供一检测设备，通过所述检测设备向所述标准晶圆射入一束激光以于所述标准晶圆内形成热波，通过检测所述热波获取所述标注晶圆的第一热波散射值，所述第一热波散热值表示所述第一检测值。

优选的，提供一检测设备，通过所述检测设备向所述问题晶圆射入一束激光以于所述问题晶圆内形成热波，通过检测所述热波获取所述问题晶圆的第二热波散射值，所述第二热波散射值表示所述第二检测值。

优选的，在所述步骤S2中，根据所述比值将所述测试晶圆等效成所述问题晶圆的方法包括以下步骤：

步骤A1、所述离子注入设备根根据所述比值，向所述测试晶圆注入与所述比值对应剂量的离子；

步骤A2、对注入离子之后的所述测试晶圆进行测试以获得表示所述测试晶圆中的晶格损伤程度的第三检测值；