[发明专利]量子点表面配体含量的测定方法与量子点墨水配制方法在审
申请号: | 201711352957.2 | 申请日: | 2017-12-15 |
公开(公告)号: | CN109932274A | 公开(公告)日: | 2019-06-25 |
发明(设计)人: | 覃辉军;叶炜浩;杨一行 | 申请(专利权)人: | TCL集团股份有限公司 |
主分类号: | G01N5/04 | 分类号: | G01N5/04;G01N1/38 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;刘文求 |
地址: | 516006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 量子点 墨水 量子点表面 墨水配制 均一性 配体 咖啡环效应 像素分辨率 光电效率 启亮电压 显示面板 速率和 保证 配置 | ||
1.一种量子点表面配体含量的测定方法,其特征在于,包括:
提供样品颗粒,所述样品颗粒的单个颗粒包括量子点和结合在所述量子点表面的的有机配体,所述的有机配体选自脂肪羧酸配体、含氮的有机配体、含磷的有机配体或含巯基的有机配体,所述有机配体为一种或多种,当所述有机配体为多种时,各所述有机配体之间的摩尔分子质量相差不超过5%;
将所述颗粒与参比样置于热重分析仪中,在惰性气体条件下,根据所述样品颗粒在所述有机配体的挥发温度处出现的失重比例计算得到量子点表面配体含量。
2.根据权利要求1所述量子点表面配体含量的测定方法,其特征在于,所述量子点为一元量子点、二元量子点、三元量子点或四元量子点;和/或所述样品颗粒由同一制备过程制备得到。
3.根据权利要求2所述量子点表面配体含量的测定方法,其特征在于,所述一元量子点选自Au、Ag、Cu、Pt或C量子点;
所述二元量子点选自CdSe、ZnSe、PbSe、CdTe、ZnO、MgO、CeO2、NiO、TiO2、InP或CaF2量子点;
所述三元量子点选自CdZnS、CdZnSe、CdSeS、PbSeS、ZnCdTe、CdS/ZnS、CdZnS/ZnS、CdZnSe/ZnSe、CdSeS/ CdSeS /CdS、CdSe/CdZnSe/CdZnSe/ZnSe、CdZnSe/CdZnSe/ZnSe、CdS/CdZnS/CdZnS/ZnS、NaYF4或NaCdF4量子点;
所述的四元量子点包括CdZnSeyS、CdSe/ZnS、CdZnSe/ZnS、CdSe/CdS/ZnS、CdSe/ZnSe/ZnS、CdZnSe/CdZnS/ZnS或InP/ZnS量子点。
4.根据权利要求1所述量子点表面配体含量的测定方法,其特征在于,
所述含巯基的有机配体选自一硫醇、二硫醇、巯基醇、巯基胺或巯基酸;
所述脂肪羧酸配体为C原子数为8~18之间的脂肪酸;
所述含磷的有机配体选自烷基磷、烷基氧膦或烷基磷酸;
所述含氮的有机配体为碳原子数大于8的有机胺。
5.根据权利要求1所述量子点表面配体含量的测定方法,其特征在于,在惰性气体条件下,根据所述样品颗粒在所述有机配体的挥发温度处出现的失重比例计算得到量子点表面配体含量的测试条件为:在惰性气体环境下,检测压力为0.1-15MPa,气体流量为30-40 mm/min,加热温度区间为50-800℃,升温速率为2~10℃/min,数据采集间隔为1-5pt/s。
6.根据权利要求1所述量子点表面配体含量的测定方法,其特征在于,所述参比样为氧化铝。
7.一种量子点墨水的配置方法,其特征在于,包括:
提供样品颗粒,所述样品颗粒的单个颗粒包括量子点和结合在所述量子点表面的有机配体,所述的有机配体选自脂肪羧酸配体、含氮的有机配体、含磷的有机配体或含巯基的有机配体,所述有机配体相同或不同,当所述有机配体不同时,各所述有机配体之间的摩尔分子质量相差不超过5%;
按权利要求1-6任一项所述的量子点表面配体含量的测定方法分别测定不同批次的所述样品颗粒的表面配体含量;
选定其中一个批次样品颗粒作为基准批次样品颗粒;
当其它一批次样品量子点表面配体含量与所述基准批次颗粒的表面配体含量相差不超过10%时,将所述其它一批次样品颗粒用于配置墨水;
当其它一批次样品量子点表面配体含量与所述基准批次颗粒的表面配体含量相差超过10%时,将所述其它一批次量子点表面配体含量调节至与所述基准批次颗粒的表面配体含量相差在10%之内后,将调节表面配体含量后的所述其它一批次颗粒用于配置墨水。
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