[发明专利]半导体感光器件及其感光表面处理方法

权利要求书

1.一种半导体感光器件的感光表面处理方法，其特征在于，包括：

提供半导体感光器件，所述半导体感光器件具有感光功能面，所述感光功能面下包含有半导体光敏器件，所述半导体感光器件通过所述感光功能面接收感测光辐射信号，通过所述半导体光敏器件将所述光辐射信号转化为电信号；

采用分子气相沉积工艺，对所述感光功能面进行自组装成膜处理，在所述感光功能面上形成透光疏水覆盖层。

2.如权利要求1所述的感光表面处理方法，其特征在于，所述自组装成膜处理的步骤包括：

向所述分子气相沉积工艺的腔室内通入自组装单层膜前驱体和水蒸汽；

控制工艺参数，以形成所述透光疏水覆盖层。

3.如权利要求1所述的感光表面处理方法，其特征在于，所述透光疏水覆盖层的透光率大于或等于80％。

4.如权利要求1所述的感光表面处理方法，其特征在于，所述感光功能面下还包含：位于所述半导体光敏器件上的滤光膜，所述滤光膜用于对所述感光功能面接收的光信号进行选择性吸收和通过。

5.如权利要求4所述的感光表面处理方法，其特征在于，所述感光功能面下还包含：位于所述滤光膜上的微透镜。

6.如权利要求2所述的感光表面处理方法，其特征在于，所述分子气相沉积工艺的步骤还包括：向所述分子气相沉积工艺的腔室内通入自组装单层膜前驱体和水蒸汽之前，对所述感光功能面进行氧等离子体处理。

7.如权利要求1所述的感光表面处理方法，其特征在于，在所述分子气相沉积工艺之前，还包括：进行去离子水清洗。

8.如权利要求6所述的感光表面处理方法，其特征在于，所述氧等离子体处理的参数包括：反应气体包括O₂，工艺压强为0.01mTorr至1000mTorr，反应气体的流量为1sccm至10000sccm，工艺时间为1秒至10000秒。

9.如权利要求2所述的感光表面处理方法，其特征在于，所述自组装成膜处理的参数包括：工艺时间为100秒至10000秒，工艺温度为0℃至50℃。

10.如权利要求1所述的感光表面处理方法，其特征在于，所述透光疏水覆盖层的厚度为至

11.如权利要求10所述的感光表面处理方法，其特征在于，所述透光疏水覆盖层为单层分子。

12.如权利要求1所述的感光表面处理方法，其特征在于，所述透光疏水覆盖层的材料为全氟癸基三氯硅烷、四氢辛基三氯硅烷、四氢辛基甲基二氯硅烷和十八烷基三氯硅烷中的一种或多种。

13.如权利要求5所述的感光表面处理方法，其特征在于，所述滤光膜的材料为染色聚合物，所述微透镜的材料为透明聚合物。

14.如权利要求1所述的感光表面处理方法，其特征在于，所述半导体感光器件为CMOS图像传感器或电荷耦合器件。

15.如权利要求1所述的感光表面处理方法，其特征在于，提供的所述半导体感光器件集成于晶圆内，或者，所述半导体感光器件集成于芯片内。

16.一种半导体感光器件，其特征在于，所述半导体感光器件具有感光功能面，所述感光功能面下包含有半导体光敏器件，所述半导体感光器件通过所述感光功能面接收感测光辐射信号，通过所述半导体光敏器件将所述光辐射信号转化为电信号；

所述半导体感光器件还包括：透光疏水覆盖层，位于所述感光功能面上，所述透光疏水覆盖层采用分子气相沉积工艺所形成。

17.如权利要求16所述的半导体感光器件，其特征在于，所述透光疏水覆盖层的透光率大于或等于80％。

18.如权利要求16所述的半导体感光器件，其特征在于，所述感光功能面下还包含：位于所述半导体光敏器件上的滤光膜，所述滤光膜用于对所述感光功能面接收的光信号进行选择性吸收和通过。

19.如权利要求18所述的半导体感光器件，其特征在于，所述感光功能面下还包含：位于所述滤光膜上的微透镜。

20.如权利要求16所述的半导体感光器件，其特征在于，所述透光疏水覆盖层的厚度为至