[发明专利]CIGS薄膜太阳能电池的制备方法在审
申请号: | 201711353190.5 | 申请日: | 2017-12-15 |
公开(公告)号: | CN108321075A | 公开(公告)日: | 2018-07-24 |
发明(设计)人: | 曲铭浩;汝小宁;王溢欢;胡超;舒毅;胡鹏臣;许永元 | 申请(专利权)人: | 米亚索乐装备集成(福建)有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/66;H01L31/032;H01L31/18 |
代理公司: | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人: | 周放;尚世浩 |
地址: | 362000 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钠离子 水蒸气 掺杂层 溅射 溅射腔 制备 阻挡层 钠掺杂 衬底 放入 钼层 保证 检测 生产 | ||
1.一种CIGS薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:
将形成阻挡层的衬底放入溅射腔,在所述阻挡层上溅射形成掺杂层,所述掺杂层为钠掺杂钼层;
在溅射形成所述掺杂层时,检测钠离子含量,并根据所述钠离子含量向所述溅射腔通入水蒸气。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,
在步骤所述检测钠离子含量,并根据所述钠离子含量向所述溅射腔通入水蒸气中包括:
预置钠离子含量的最低阀值A,在溅射时间大于等于缓冲时间T,且当检测所述钠离子的含量小于所述最低阀值A时,向所述溅射腔通入水蒸气。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在步骤所述检测钠离子含量,并根据所述钠离子含量向所述溅射腔通入水蒸气中包括:
预置钠离子含量的最低阀值A,实时检测所述钠离子含量,且当检测所述钠离子的含量小于所述最低阀值A时,向所述溅射腔通入水蒸气。
4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法,其特征在于,所述水蒸气通入所述溅射腔的量与所述钠离子含量呈非线性反比。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述溅射腔内填充有惰性气体;所述制备方法还包括:
检测所述溅射腔内水蒸气中氢离子的离子量和所述惰性气体的离子量;
当检测到的所述水蒸气中氢离子的离子量与检测到的所述惰性气体的离子量的比值超过预设标准比值阈时,停止通入所述水蒸气。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述预设标准比值阈为0.1-0.4。
7.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述最低阀值A为7*1019/cm3-7.5*1019/cm3;所述缓冲时间T为5min-15min。
8.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述惰性气体为氩气。
9.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,还包括:
溅射形成掺杂层后,在所述掺杂层上形成后续层;
所述后续层包括依次形成钼层、吸收层、第一缓冲层、第二缓冲层和窗口层。
10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述吸收层为铜、铟、镓、硒的混合层;
所述第一缓冲层为硫化镉层;所述第二缓冲层异氧化锌层;所述窗口层为掺铝氧化锌层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造