[发明专利]量子点薄膜及其制备方法、QLED器件及其制备方法

说明书

本发明提供了一种量子点薄膜的制备方法，包括以下步骤：提供量子点预制薄膜，所述量子点预制薄膜中的量子点表面结合有初始配体；将所述量子点预制薄膜置于可密闭装置中，通入气态的置换配体，进行气相配体置换，得到量子点表面结合所述置换配体的量子点薄膜。

技术领域

本发明属于量子点技术领域，尤其涉及一种量子点薄膜及其制备方法，以及一种QLED器件及其制备方法。

背景技术

量子点发光二极管(Quantum dot light-emitting diode,QLED)，是一种新型的发光器件，其采用量子点材料(Quantum dots,QDs)作为发光层，相比其他发光材料具有难以比拟的优势，如可控的小尺寸效应、超高的内量子效率、优异的色纯度等，在未来显示技术领域具有巨大的应用前景。

一般情况下，量子点表面会通过螯合等方式连接有机配体或者通过形成化学键等方式连接无机配体。量子点的表面配体在量子点合成中起到至关重要的作用，一方面，表面配体能钝化量子点表面的缺陷，提高量子点的发光性能；另一方面，表面配体能够减少量子点之间团聚，并增加量子点在溶剂中的分散能力。在量子点发光二极管器件中，表面配体会进一步影响器件的光电学性能，因此合理选择量子点膜中的量子点表面的配体是提高量子点薄膜及量子点发光二极管发光效率的重要步骤。

在合成结束之后对量子点表面的配体进行交换是目前比较普遍的方式。但量子点表面的配体影响其在有机溶剂中的分散性，因此，在配体交换过程中引入的配体可能会造成量子点的分散性不好，特别是对于一些链长较短的配体分子，经常会出现量子点无法分散的问题，因此无法形成均匀性较好的量子点薄膜。目前已经报道的原位配体交换的方法，大多数都是采用溶液法进行配体交换，一般是先将量子点成膜，成膜之后将量子点薄膜浸入待交换的配体溶液中进行配体交换。待配体交换结束后，用不含配体的溶剂进行清洗，除去多余的配体。该方法可以选择有利于提高量子点薄膜及量子点发光二极管发光效率的配体，但处理工艺过程复杂，且规模化生产的成本相对较高，比较适合实验室的原型器件的研究工作。

发明内容

本发明的目的在于提供一种量子点薄膜及其制备方法，旨在解决现有的量子点薄膜采用溶液法对成膜量子点进行配体交换，不仅工艺复杂，而且不利于规模化生产的问题。

本发明的另一目的在于提供一种含有上述量子点薄膜的QLED器件及其制备方法、显示屏。

本发明是这样实现的，一种量子点薄膜的制备方法，包括以下步骤：

提供量子点预制薄膜，所述量子点预制薄膜中的量子点表面结合有初始配体；

将所述量子点预制薄膜置于可密闭装置中，通入气态的置换配体，进行气相配体置换，得到量子点表面结合所述置换配体的量子点薄膜。

相应的，一种量子点薄膜，所述量子点薄膜为由上述方法制备获得的量子点薄膜。

以及，一种QLED器件，包括层叠设置的底电极、量子点发光层和顶电极，所述量子点发光层为由上述方法制备获得的量子点薄膜。

相应的，一种QLED器件的制备方法，包括以下步骤：

提供底电极；

按照上述量子点薄膜的制备方法，在所述底电极上沉积量子点薄膜，制备量子点发光层；

在所述量子点发光层上制备顶电极，

其中，所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极；或所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极。

以及，一种显示屏，包括上述QLED器件。