[发明专利]光学多弧离子镀膜机

权利要求书

1.光学多弧离子镀膜机，其特征在于：包括真空室和与真空室连通的抽气组件、充气组件、运输组件、加热组件、冷却组件，所述真空室内设有至少一多弧靶，所述多弧靶包括阴极(1)和引弧电极(2)，所述阴极(1)的一端与引弧电极(2)的一端绝缘连接，所述阴极(1)为一内部设有磁棒(11)和靶背管的靶材，所述磁棒(11)和靶背管相邻设置，所述磁棒(11)为一嵌有一磁性组件的绝缘棒，所述引弧电极(2)通过一电磁阀控制其与阴极(1)不相连的一端与阴极(1)表面接触和分离。

2.根据权利要求1所述的光学多弧离子镀膜机，其特征在于：所述真空室内还设有架体，所述架体连接有轨道和传送组件，所述传送组件沿轨道传送待镀膜基片。

3.根据权利要求2所述的光学多弧离子镀膜机，其特征在于：所述轨道内部安装有磁棒(11)。

4.根据权利要求1或3所述的光学多弧离子镀膜机，其特征在于：所述磁性组件为至少一个磁铁。

5.根据权利要求4所述的光学多弧离子镀膜机，其特征在于：所述磁铁为多个时，所述磁铁在磁棒(11)上环绕磁棒轴向线分布，且所述磁铁均匀分布于磁棒(11)上。

6.根据权利要求4所述的光学多弧离子镀膜机，其特征在于：所述磁铁为多个时，所述磁铁在(11)上环绕磁棒轴向线分布，且所述磁铁不均匀分布于磁棒(11)上。

7.根据权利要求4所述的光学多弧离子镀膜机，其特征在于：所述磁铁为多个时，所述磁铁在磁棒(11)内环绕磁棒轴向线分布，且所述磁铁均匀分布于磁棒(11)内部。

8.根据权利要求4所述的光学多弧离子镀膜机，其特征在于：所述磁铁为多个时，所述磁铁在磁棒(11)内环绕磁棒轴向线分布，且所述磁铁不均匀分布于磁棒(11)内部。

9.根据权利要求2～8所述的光学多弧离子镀膜机，其特征在于：所述磁铁为半球状，且磁铁的圆弧面背对磁棒轴向线。

10.根据权利要求2～8所述的光学多弧离子镀膜机，其特征在于：所述磁铁为四棱锥，且磁铁的顶角背对磁棒轴向线。