[发明专利]多弧离子镀膜装置在审

申请号：	201711353637.9	申请日：	2017-12-15
公开（公告）号：	CN109930117A	公开（公告）日：	2019-06-25
发明（设计）人：	孙桂红;祝海生;陈立;凌云;黄夏;黄国兴	申请（专利权）人：	湘潭宏大真空技术股份有限公司
主分类号：	C23C14/32	分类号：	C23C14/32
代理公司：	上海精晟知识产权代理有限公司 31253	代理人：	冯子玲
地址：	411100 湖***	国省代码：	湖南;43
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摘要：
搜索关键词：	阴极引弧电极多弧离子镀膜磁棒磁性组件背管电磁阀控制真空室阳极基片表面绝缘连接相邻设置阴极表面绝缘棒均一性靶材镀膜刻蚀离化膜层嵌有金属应用
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【权利要求书】：

1.多弧离子镀膜装置，其特征在于：包括阴极(1)和引弧电极(2)，所述阴极(1)的一端与引弧电极(2)的一端绝缘连接，所述阴极(1)为一内部设有磁棒(11)和靶背管的靶材，所述磁棒(11)和靶背管相邻设置，所述磁棒(11)为一嵌有一磁性组件的绝缘棒，所述引弧电极(2)通过一电磁阀控制其与阴极(1)不相连的一端与阴极(1)表面接触和分离，所述阴极(1)和引弧电极(2)设于真空室阳极箱体中。

2.根据权利要求1所述的多弧离子镀膜装置，其特征在于：所述磁性组件为至少一个磁铁。

3.根据权利要求2所述的多弧离子镀膜装置，其特征在于：所述磁铁为多个时，所述磁铁在磁棒(11)上环绕磁棒轴向线分布，且所述磁铁均匀分布于磁棒(11)上。

4.根据权利要求2所述的多弧离子镀膜装置，其特征在于：所述磁铁为多个时，所述磁铁在(11)上环绕磁棒轴向线分布，且所述磁铁不均匀分布于磁棒(11)上。

5.根据权利要求2所述的多弧离子镀膜装置，其特征在于：所述磁铁为多个时，所述磁铁在磁棒(11)内环绕磁棒轴向线分布，且所述磁铁均匀分布于磁棒(11)内部。

6.根据权利要求2所述的多弧离子镀膜装置，其特征在于：所述磁铁为多个时，所述磁铁在磁棒(11)内环绕磁棒轴向线分布，且所述磁铁不均匀分布于磁棒(11)内部。

7.根据权利要求2～6所述的多弧离子镀膜装置，其特征在于：所述磁铁为半球状，且磁铁的圆弧面背对磁棒轴向线。

8.根据权利要求2～6所述的多弧离子镀膜装置，其特征在于：所述磁铁为四棱锥，且磁铁的顶角背对磁棒轴向线。

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