[发明专利]一种QLED器件的后处理方法

说明书

本发明公开一种QLED器件的后处理方法，包括以下步骤：提供QLED器件，所述QLED器件包括衬底，设置在所述衬底上的量子点发光二极管，所述量子点发光二极管被封装树脂封装，所述封装树脂中含有活性成分，所述活性成分为非饱和羧酸和/或饱和羧酸；对所述QLED器件进行加热处理；对所述QLED器件进行加热处理后，对所述QLED器件进行抽真空处理。本发明通过加热和抽真空的制备步骤，可以在实现器件有益效果之后充分去除残留的活性成分，保证器件后续不受到活性成分的持续影响，从而在实现高效率的同时也保障了器件的寿命。

技术领域

本发明涉及QLED器件领域，尤其涉及一种QLED器件的后处理方法。

背景技术

基于量子点的电致发光技术也就是量子点发光二极管（QLED）技术，由于其作为新一代显示技术的巨大潜力近年来受到越来越多的关注。QLED显示技术的优势来源于量子点这种特殊纳米材料所具有独特的纳米性质，例如发射波长连续可调、发光波长窄、发光强度高、荧光寿命长、稳定性高等。QLED显示器件的性能如效率和寿命，近年来也获得了稳步的提高。

QLED器件的性能可以通过多种多样的途径来提高。之前在已有技术方案中揭露，可以通过在封装树脂中添加活性成分如丙烯酸、苯甲酸、丁烯酸等非饱和羧酸、或者乙酸、丙酸、丁酸等饱和羧酸，通过这些活性成分与QLED器件的相互作用（通常作用时间为4天）来有效提升器件的效率。然而在这项技术方案中没有提及或评估这种处理方式对于器件工作寿命的影响。上述饱和、非饱和羧酸均具有酸性，即容易在扩散过程中解离出H⁺，而H⁺会对量子点起到非常显著的淬灭效应，因此当这些羧酸活性成分完成与器件的有益作用（即提升器件效率）后，残留在器件中的这些过量羧酸活性成分便会开始逐渐淬灭量子点发光，从而对QLED器件的寿命产生影响；而且当器件处于工作状态时产生的电场以及相应的热量会大大加速这一负面效应。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种QLED器件的后处理方法，旨在解决现有通过在封装树脂中添加某些活性成分在器件制备前期提升QLED器件效率，但这些活性成分会在后续对器件发光产生淬灭效应，从而影响器件的长期效率和寿命的问题。

本发明的技术方案如下：

一种QLED器件的后处理方法，其中，包括以下步骤：

提供QLED器件，所述QLED器件包括衬底，设置在所述衬底上的量子点发光部件，所述量子点发光部件被封装树脂封装，所述封装树脂中含有活性成分，所述活性成分为非饱和羧酸和/或饱和羧酸；

对所述QLED器件进行加热处理；

对所述QLED器件进行加热处理后，对所述QLED器件进行抽真空处理。

所述的QLED器件的后处理方法，其中，所述活性成分选自非饱和羧酸，所述非饱和羧酸选自丙烯酸、苯甲酸、丁烯酸和甲基丙烯酸中的一种或多种。

所述的QLED器件的后处理方法，其中，所述活性成分选自饱和羧酸，所述饱和羧酸选自乙酸、丙酸、丁酸和异丁酸中的一种或多种。

所述的QLED器件的后处理方法，其中，所述活性成分占封装树脂的重量百分比范围在5-40%之间。

所述的QLED器件的后处理方法，其中，对所述QLED器件进行加热处理的步骤中，加热温度范围在50-90℃之间，和/或所述QLED器件的加热时间范围在1-48小时之间。

所述的QLED器件的后处理方法，其中，对所述QLED器件进行加热处理的步骤中，加热温度范围在50-60℃之间。