[发明专利]一种改善GaN外延片性质并增强GaN基LED发光性能的方法在审
| 申请号： | 201711354577.2 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108054247A | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 张勇 | 申请（专利权）人： | 佛山东燊金属制品有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 佛山帮专知识产权代理事务所(普通合伙) 44387 | 代理人： | 颜春艳 |
| 地址： | 528251 广东省佛山市南海区桂城街道平胜*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 gan 外延 性质 增强 led 发光 性能 方法 | ||
1.一种改善GaN外延片性质并增强GaN基LED发光性能的方法，其特征在于，GaN外延片的厚度为450μm，其最上层为380nm厚掺Mg的p型GaN层；
首先，进行激光辐照实验前，将其剪裁成边长为10mm的正方形，之后将样品分别依次浸入乙醇、丙酮和去离子水中超声清洗约5min；然后采用LP 305i F型准分子激光器在空气中对GaN样品进行激光辐照，激光波长为248nm，重复频率为3Hz和10Hz，激光能量密度为300～800m J/cm。
2.根据权利要求1所述的一种改善GaN外延片性质并增强GaN基LED发光性能的方法，其特征在于，采用Acton SP2750型光谱仪测量光致发光谱，激发波长为325nm，收集方式为背向散射；采用HL5500型霍尔测试仪测量GaN外延片的载流子浓度、迁移率和电阻率；采用Axis Ultra型能谱仪测量X射线光电子谱。
3.根据权利要求1所述的一种改善GaN外延片性质并增强GaN基LED发光性能的方法，其特征在于，采用磁控溅射的方法在GaN外延片表面镀上Ni/Au电极，用来测量欧姆接触。
4.根据权利要求1所述的一种改善GaN外延片性质并增强GaN基LED发光性能的方法，其特征在于，在对GaN外延片进行封装时，表面镀上Ni/Au电极，采用电子束蒸发的方法在外延材料表面形成厚度为240nm的氧化铟锡薄膜，将Ti/Au合金作为电极连接半导体的p-n结两端，最后在室温下测量样品的LED发光性能。
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