[发明专利]一种单晶PERC太阳能电池镀膜不良片的返工方法在审
申请号: | 201711355502.6 | 申请日: | 2017-12-16 |
公开(公告)号: | CN108054243A | 公开(公告)日: | 2018-05-18 |
发明(设计)人: | 曾超;秦崇德;方结彬;林纲正;陈刚 | 申请(专利权)人: | 广东爱旭科技股份有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人: | 孔凡亮 |
地址: | 528100 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 perc 太阳能电池 镀膜 不良 返工 方法 | ||
本发明公开一种单晶PERC太阳能电池镀膜不良片的返工方法,包括取镀膜不良的单晶PERC返工片,放置在装有HCl/H
技术领域
本发明涉及晶体硅太阳能电池技术领域,尤其涉及单晶PERC太阳能电池技术领域,具体的是涉及一种单晶PERC太阳能电池镀膜不良片的返工方法。
背景技术
单晶PERC太阳能电池的工艺流程比常规单晶太阳能电池的工艺流程较繁琐,由于工序繁多,因此带来了镀膜返工片的比例较常规电池的要高很多,大约5%(常规单晶约1%)。对于一间每日产量60万片太阳能电池片的工厂来说,一天的镀膜返工片就有3万片,大量硅片若不返工直接做成太阳能电池,都要降级处理甚至报废,造成生产成本的居高不下,导致企业很大的经济损失。
目前,单晶PERC镀膜返工片已有的处理方式包括:
1、单晶PERC镀膜返工片使用HF去膜后没有重新制绒,而是直接做成电池片,造成电池片外观及EL不良降级比例过高,效率较低;
2、单晶PERC镀膜返工片使用HF去膜后直接制绒,造成绒面偏大,效率偏低,外观及EL不良比例也偏高;
3、单晶PERC镀膜返工片使用HF去膜后,使用链式设备去除金字塔绒面和扩散PN结,链式设备和去膜及制绒的槽式设备生产连贯性不够,生产效率不高。
发明内容
针对上述现有技术存在的问题,本发明提供一种单晶PERC太阳能电池镀膜不良片的返工方法,在保证效率的前提下,提高产品的品质,降低不合格品的比例,满足工厂高产出的要求。
为了实现上述目的,本发明采用的一种单晶PERC太阳能电池镀膜不良片的返工方法,具体包括以下步骤:
步骤1、取镀膜不良的单晶PERC返工片,放置在装有HCl/H
步骤2、将清洗后的返工片置于装有去离子水的清洗槽一中;
步骤3、将经清洗槽一清洗过的返工片放置于装有HF/HCl混合液的槽体中,去除SiNx/AlOx膜及金属离子;
步骤4、将清洗去膜后的返工片放置于装有去离子水的清洗槽二中;
步骤5、将经清洗槽二清洗过的返工片,放置于装有HF/HNO
步骤6、将用HF/HNO
步骤7、将处理后的返工片吹干,制绒。
所述步骤1中,采用HCl/H
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的