[发明专利]低压系统中NPN/PNP传感器接入器

说明书

技术领域

本发明涉及一种低压系统中NPN/PNP传感器接入器。

背景技术

在工业控制领域中，开关量信号传感器常见的有NPN传感器和PNP传感器，NPN传感器和PNP传感器均是利用三极管的饱和和截止，输出两种状态，当NPN传感器和PNP传感器两者的输出截然相反，PNP传感器使用时，当有信号触发时，其输出线和电源线连接，相当于输出高电平；NPN传感器使用时，当有信号触发时，其输出线和0v线连接，相当于输出低电平。NPN传感器和PNP传感器两者的这一属性使得各自在使用时，后端需要两种完全不同的匹配电路，也就意味着NPN传感器和PNP传感器应用在单片机系统中时，需要对每一个开关量传感器做定制化的电路接口，而且传感器的型号一旦确定就无法更换，影响使用的方便性。另一方面，NPN传感器和PNP传感器两者的外观类似，容易混用，一旦接错就会导致传感器无法正常工作。

发明内容

本发明提供一种低压系统中NPN/PNP传感器接入器，不管前端接入的是 NPN传感器、还是PNP传感器，经过接入器变换后输出都是一样的，做到一种匹配电路就可以完全兼容NPN传感器和PNP传感器两种型号同时使用，提高开关量信号传感器使用的灵活性和方便性，为工业自动化升级和物联网的发展提供了便利。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种低压系统中NPN/PNP传感器接入器，包括接入电路，所述接入电路具有传感器接入端A、B、C和用于低压控制的输出端D，所述NPN传感器或者PNP传感器连接所述接入电路的传感器接入端，所述NPN传感器、PNP传感器的输出信号经所述接入电路的变换后从输出端D输出的信号相同。

本发明一个较佳实施例中，进一步包括所述接入电路包括光电耦合器一U1、光电耦合器二U2、PMOS管一Q1、PMOS管二Q2、NMOS管一Q3、 NMOS管二Q4；

光电耦合器一U1具有发光二极管一和光电三极管一，光电耦合器二U2具有发光二级管二和光电三极管二；发光二极管一的正极连接输入信号电源正极，发光二极管一的负极连接发光二极管的正极，连接处形成节点M，发光二极管二的负极连接输入信号电源地；光电三极管一和光电三极管二两者的集电极均连接中间电源正极，两者的发射极均连接中间电源地；传感器接入端A连接输入信号电源正极，传感器接入端B连接节点M，传感器接入端C连接输入信号电源地；

PMOS管一Q1的源极连接光电三极管一的集电极，PMOS管一Q1的漏极连接NMOS管一Q3的漏极，NMOS管一Q3的源极接输出信号电源地，PMOS 管一Q1和NMOS管一Q3的门极均连接光电三极管一的发射极；

PMOS管二Q2的源极连接光电三极管一的发射极，PMOS管二Q2的的漏极连接NMOS管二Q4的漏极，连接处形成节点O，NMOS管二Q4的源极连接NMOS管一Q3的漏极，PMOS管二Q2和NMOS管二Q4两者的门极均连接光电三极管二的发射极；

输出端D连接节点O。

本发明一个较佳实施例中，进一步包括所述节点O和输出端D之间还连接有输出滤波电路。

本发明一个较佳实施例中，进一步包括所述输出滤波电路包括滤波电容C1和滤波电阻R7，所述滤波电容C1和滤波电阻R7两者并联后连接在节点 O和输出信号电源地之间。

本发明一个较佳实施例中，进一步包括所述光电三极管一的集电极和 PMOS管一的源极之间还连接有分压电阻R6。

本发明一个较佳实施例中，进一步包括所述输入信号电源地和输出信号电源地分开设置。

本发明一个较佳实施例中，进一步包括所述输入信号电源正极和发光二极管的正极之间还连接有分压电阻R1，所述传感器接入端B和节点M之间还连接有分压电阻R2，所述传感器接入端C和输入信号电源地之间还连接有分压电阻R3。

本发明的低压系统中NPN/PNP传感器接入器，不管前端接入的是NPN传感器、还是PNP传感器，经过接入器变换后两者的输出都是一样的，做到一种匹配电路就可以完全兼容NPN传感器和PNP传感器两种型号同时使用，提高开关量信号传感器使用的灵活性和方便性，为工业自动化升级和物联网的发展提供了便利。

附图说明

图1是本发明优选实施例中NPN/PNP传感器接入器的电路原理图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好地理解本发明并能予以实施，但所举实施例不作为对本发明的限定。

实施例