[发明专利]基于柔性衬底底栅结构的MoS2

权利要求书

1.一种基于柔性衬底底栅结构的MoS₂TFT器件，其特征在于，包括：自下而上依次设置的柔性衬底、底栅金属薄膜、氧化铝薄膜、由反应源薄膜生成的二硫化钼薄膜以及源漏电极；

所述反应源薄膜生成二硫化钼薄膜，在沉积有氧化铝薄膜的上表面旋涂反应源溶液并在空气中加热烘干得到反应源薄膜；在覆盖有反应源薄膜的上表面旋涂光刻胶，并经掩模板 曝光；在经过掩模板曝光后的光刻胶的上表面采用电子束蒸发制备源漏电极，并进行去光刻胶处理；对进行去光刻胶处理后的含有反应源薄膜的上表面进行激光照射，以使反应源薄膜在激光作用下发生分解反应形成二硫化钼薄膜；所述源漏电极与所述二硫化钼薄膜的表面接触。

2.根据权利要求1所述的MoS₂TFT器件，其特征在于，所述柔性衬底包括聚酰亚胺、聚二甲基硅氧烷、聚酯以及不锈钢中的任意一种。

3.根据权利要求1或2所述的MoS₂TFT器件，其特征在于，所述源漏电极为双层结构，其中，所述源漏电极的下层与所述二硫化钼薄膜接触的金属为铬Cr、钛Ti、钯Pd以及钪Sc中的任意一种，所述源漏电极的上层金属为金Au。

4.一种基于柔性衬底底栅结构的MoS₂TFT器件的制备方法，其特征在于，包括：

对柔性衬底进行清洗并在所述柔性衬底干燥后，在所述柔性衬底表面沉积底栅金属薄膜，在所述底栅金属薄膜上溅射沉积氧化铝薄膜；

在沉积有所述氧化铝薄膜的上表面旋涂反应源溶液并在空气中加热烘干得到反应源薄膜；

在覆盖有所述反应源薄膜的上表面旋涂光刻胶，并经掩模板 曝光；

在经过掩模板曝光后的所述光刻胶的上表面采用电子束蒸发制备源漏电极，并进行去光刻胶处理；

对进行去光刻胶处理后的含有所述反应源薄膜的上表面进行激光照射，以使所述反应源薄膜发生分解反应形成二硫化钼薄膜，以获得柔性衬底底栅结构的MoS₂TFT器件。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述柔性衬底包括聚酰亚胺、聚二甲基硅氧烷、聚酯以及不锈钢中的任意一种，器件制备期间所述柔性衬底温度低于150℃。

6.根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于，所述反应源薄膜为四硫代钼酸铵溶液，经旋涂、加热烘干后形成的薄膜。