[发明专利]阵列基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201711361236.8 申请日: 2017-12-18
公开(公告)号: CN108039352B 公开(公告)日: 2020-06-05
发明(设计)人: 白思航 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;熊永强
地址: 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 制造 方法
【说明书】:

发明提供一种阵列基板的制造方法,其包括以下步骤:在基底上形成栅极层;在栅极层上形成栅极绝缘材料层;在所述栅极绝缘材料层上形成多晶硅材料层;在多晶硅材料层上沉积形成刻蚀阻挡材料层;对多晶硅材料层进行沟道掺杂;形成有源层、刻蚀阻挡层及栅极绝缘层;在有源层及栅极绝缘层上形成源漏极层,有源层与源漏极层电性连接;及在源漏极层上形成通孔,进而形成源极及漏极,通孔对应有源层设置,源极及漏极均与有源层电性连接。本发明还提供一种阵列基板。由于所述阵列基板为底栅结构,其减小了现有技术中顶栅结构中,由于有源层引起的表面不平整带来的界面电阻不均的现象,提高了阵列基板的电学性能的稳定性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种阵列基板及其制造方法。

背景技术

目前,低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)以其高电子迁移率和稳定性受到较大的关注。传统的低温多晶硅薄膜晶体管多采用顶栅极(Top Gate)结构,然而,沉积形成的有源层的表面不平整,易造成后续沉积于所述有源层的栅极(Gate)等结构的平坦度较差,进而易导致所述有源层与所述栅极之间界面的电阻分布不均,进而导致整体性能不稳定。

发明内容

为了解决前述问题,本发明提供一种阵列基板及其制造方法。

一种阵列基板的制造方法,其包括以下步骤:

在基底上形成栅极层;

在所述栅极层上形成栅极绝缘材料层,所述栅极绝缘材料层覆盖所述栅极层及所述基底;

在所述栅极绝缘材料层上形成多晶硅材料层;

在所述多晶硅材料层上沉积形成刻蚀阻挡材料层;

对所述多晶硅材料层进行沟道掺杂;

蚀刻所述多晶硅材料层、所述刻蚀阻挡材料层及所述栅极绝缘材料层,进而形成有源层、刻蚀阻挡层及栅极绝缘层,所述栅极绝缘层覆盖所述栅极层及所述基底,所述有源层形成于所述栅极层上,所述刻蚀阻挡层覆盖所述有源层;

在所述有源层及所述栅极绝缘层上形成源漏极层,所述有源层与所述源漏极层电性连接;及

在所述源漏极层上形成通孔,进而形成源极及漏极,所述通孔对应有源层设置,所述源极及所述漏极均与有源层电性连接。

进一步地,所述栅极层包括第一栅极及与所述第一栅极间隔设置的第二栅极,所述第一栅极对应所述有源层设置,所述第二栅极与所述漏极电性连接。

进一步地,所述蚀刻所述多晶硅材料层、所述刻蚀阻挡材料层及所述栅极绝缘材料层,进而形成有源层、刻蚀阻挡层及栅极绝缘层,所述栅极绝缘层覆盖所述栅极层及所述基底,所述有源层形成于所述栅极层上,所述刻蚀阻挡层覆盖所述有源层,还包括:

蚀刻所述栅极绝缘材料层,使得所述第二栅极远离所述基底的顶面露出,以使所述第二栅极能够与所述漏极接触。

进一步地,所述有源层包括沟道区域、第一非沟道区域及第二非沟道区域,所述沟道区域连接于第一所述非沟道区域及所述第二非沟道区域之间,所述沟道区域对应所述通孔设置,所述有源层位于所述第一非沟道区域且远离所述沟道区域的端面与所述源极电性连接,所述有源层位于所述第二非沟道区域且远离所述沟道区域的端面与所述漏极电性连接。

进一步地,所述在所述多晶硅材料层上沉积形成刻蚀阻挡材料层,包括以下步骤:

在所述多晶硅材料层上沉积形成预制刻蚀阻挡材料层;

蚀刻所述预制刻蚀阻挡材料层进而形成所述刻蚀阻挡材料层,所述刻蚀阻挡材料层包括第一刻蚀阻挡材料层及与所述第一刻蚀阻挡材料层连接的第二刻蚀阻挡材料层,所述第一刻蚀阻挡材料层对应所述有源层设置,所述第一刻蚀阻挡材料层的厚度大于所述第二刻蚀阻挡材料层的厚度。

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