[发明专利]集成制冷的单光子雪崩光电二极管器件在审
申请号: | 201711362207.3 | 申请日: | 2017-12-18 |
公开(公告)号: | CN108054217A | 公开(公告)日: | 2018-05-18 |
发明(设计)人: | 王玺;杨君宜;高新江;林灵 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/024;H01L31/107;H01L25/00 |
代理公司: | 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙) 50221 | 代理人: | 刘佳 |
地址: | 400060 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成 制冷 光子 雪崩 光电二极管 器件 | ||
1.一种集成制冷的单光子雪崩光电二极管器件,其特征在于,包括壳体,所述壳体内侧的底部与制冷器的热端面连接,所述制冷器的冷端面上设置有陶瓷基板,所述陶瓷基板上设置有电路布线并安装了单光子雪崩光电二极管芯片,所述单光子雪崩光电二极管芯片与所述电路布线连接,所述单光子雪崩光电二极管芯片光敏面与穿入所述壳体的光纤组件正对耦合,所述电路布线的末端延伸至所述陶瓷基板的边沿,所述壳体上设置有与所述电路布线的末端对应的开孔,引脚通过所述开孔穿入所述壳体,与所述电路布线的末端连接,所述单光子雪崩光电二极管芯片在接收到所述光纤组件传输过来的单光子后所产生的电信号依次通过所述电路布线和引脚传输出去;并且所述单光子雪崩光电二极管芯片通过所述陶瓷基板将热量传输给所述制冷器进行制冷。
2.根据权利要求1所述的集成制冷的单光子雪崩光电二极管器件,其特征在于,所述单光子雪崩光电二极管芯片和所述电路布线的连接处设置在所述陶瓷基板的侧壁,所述电路布线沿着所述陶瓷基板的侧壁通过所述陶瓷基板的上表面,延伸至所述陶瓷基板上表面的边沿;对应地,所述开孔设置在所述壳体的侧壁,以使通过所述开孔穿入所述壳体的引脚与所述电路布线的末端连接。
3.根据权利要求1所述的集成制冷的单光子雪崩光电二极管器件,其特征在于,所述陶瓷基板与所述制冷器之间设置有金属层。
4.根据权利要求2所述的集成制冷的单光子雪崩光电二极管器件,其特征在于,所述陶瓷基板的上表面还设置有热敏电阻。
5.根据权利要求1所述的集成制冷的单光子雪崩光电二极管器件,其特征在于,所述光纤组件包括金属化外包层以及穿设在所述金属化外包层内的光纤,所述金属化外包层穿过所述壳体并固定在所述制冷器上。
6.根据权利要求5所述的集成制冷的单光子雪崩光电二极管器件,其特征在于,所述金属化外包层分为金属化外包层前段、金属化外包层中段和光纤接头,所述金属化外包层前段通过安装夹固定在所述制冷器上,或者粘接或者焊接在所述制冷器上;所述金属化包层中段穿过固定在所述壳体侧壁;所述光纤接头用于外接光信号。
7.根据权利要求6所述的集成制冷的单光子雪崩光电二极管器件,其特征在于,所述金属化外包层前段和金属化外包层中段为一体的金属化包层段。
8.根据权利要求5所述的集成制冷的单光子雪崩光电二极管器件,其特征在于,所述金属化外包层与所述制冷器之间设置有支撑物,用于调整所述耦合对准的高度。
9.根据权利要求1所述的集成制冷的单光子雪崩光电二极管器件,其特征在于,所述壳体上设置有与所述热敏电阻输出端对应的开孔,对应引脚通过所述开孔穿入所述壳体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的