[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法和包括该薄膜晶体管的显示装置有效
| 申请号： | 201711362575.8 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN108269852B | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 具亨埈 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 包括 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管，包括：
有源层，所述有源层包括Sn(II)O类氧化物；
金属氧化物层，所述金属氧化物层与所述有源层的一个表面接触；
栅电极，所述栅电极与所述有源层重叠；
栅绝缘膜，所述栅绝缘膜设置在所述栅电极与所述有源层之间；
源电极，所述源电极与所述有源层的第一侧面接触；以及
漏电极，所述漏电极与所述有源层的第二侧面接触，
其中所述包括Sn(II)O类氧化物的有源层和所述金属氧化物层是通过形成包括Sn(IV)O2类氧化物的有源层和活性金属层之后对所述包括Sn(IV)O2类氧化物的有源层和所述活性金属层进行热处理而形成的。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述金属氧化物层是电绝缘的绝缘层。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中所述金属氧化物层由铝氧化物、钛氧化物、铊氧化物、钽氧化物或钼-钛氧化物形成。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述金属氧化物层设置在所述有源层的上表面上。
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其中所述源电极和所述漏电极接触所述金属氧化物层。
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其中所述栅电极布置在所述有源层下方。
7.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其中所述金属氧化物层设置在所述有源层的上表面的一部分上。
8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其中未被所述金属氧化物层覆盖的所述有源层的上表面限定为导电区域。
9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其中所述源电极和所述漏电极接触所述有源层的所述导电区域。
10.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其中所述栅电极布置在所述有源层上方。
11.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述金属氧化物层设置在所述有源层的下表面上。
12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管，其中所述栅电极布置在所述有源层下方。
13.根据权利要求11所述的薄膜晶体管，其中所述栅电极布置在所述有源层上方。
14.根据权利要求13所述的薄膜晶体管，其中未被所述栅电极和所述栅绝缘膜覆盖的所述有源层的上表面限定为导电区域。
15.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其中所述金属氧化物层还设置在所述有源层的下表面上。
16.一种显示装置，包括：
第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管具有P型半导体特性；和
第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管具有N型半导体特性，
其中所述第一薄膜晶体管包括具有Sn(II)O类氧化物的第一有源层，以及与所述第一有源层的一个表面接触的金属氧化物层，并且
所述第二薄膜晶体管包括具有Sn(IV)O2类氧化物的第二有源层；以及
其中所述包括Sn(II)O类氧化物的第一有源层和所述金属氧化物层是通过形成包括Sn(IV)O2类氧化物的有源层和活性金属层之后对所述包括Sn(IV)O2类氧化物的有源层和所述活性金属层进行热处理而形成的。
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