[发明专利]加热盘及应用其的等离子去胶机、等离子去胶方法有效

专利信息
申请号: 201711362961.7 申请日: 2017-12-18
公开(公告)号: CN109932875B 公开(公告)日: 2023-03-31
发明(设计)人: 请求不公布姓名 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: G03F7/42 分类号: G03F7/42
代理公司: 北京市铸成律师事务所 11313 代理人: 张臻贤;武晨燕
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 加热 应用 等离子 去胶机 方法
【权利要求书】:

1.一种用于等离子去胶机的加热盘,其特征在于,所述加热盘包括用于承载晶圆的盘体,所述盘体具有靠近晶圆背面的承载表面,所述承载表面上设置有多个用于向所述晶圆背面凸起支撑的导热支撑凸点,

其中,所述盘体的正下方具有抽气泵,所述抽气泵用于在所述等离子去胶机内形成热气流,且所述热气流的热传导方向从所述加热盘的边缘向中间辐射,以使所述热气流向所述晶圆的边缘区域传递的热量大于所述热气流向所述晶圆的中心区域传递的热量,所述导热支撑凸点在所述加热盘布置的密度从所述加热盘的中心区域向所述加热盘的边缘区域逐渐递减,以使所述导热支撑凸点向所述晶圆的边缘区域传递的热量小于所述导热支撑凸点向所述晶圆的中心区域传递的热量,所述盘体还具有贯穿所述盘体的排气孔,所述承载表面形成有辐射状沟槽与环状沟槽,以将所述承载表面分隔成若干个区块,所述导热支撑凸点在所述加热盘布置的密度逐渐递减为区块化递减,所述晶圆背面的热量适于通过所述辐射状沟槽、所述环状沟槽和所述排气孔排出。

2.根据权利要求1所述的加热盘,其特征在于,所述导热支撑凸点由所述承载表面凸起的高度范围在0.1毫米至0.4毫米之间,包括端点值。

3.根据权利要求1或2所述的加热盘,其特征在于,所述导热支撑凸点的直径范围在0.1毫米至0.4毫米之间,包括端点值。

4.根据权利要求1所述的加热盘,其特征在于,所述导热支撑凸点由所述承载表面凸起的高度范围在0.2毫米至0.3毫米之间,包括端点值。

5.根据权利要求1或2或4所述的加热盘,其特征在于,所述导热支撑凸点的直径范围在0.2毫米至0.3毫米之间,包括端点值。

6.一种等离子去胶机,其特征在于,包括如权利要求1至5中任一项所述的加热盘。

7.一种等离子去胶方法,其特征在于,包括:

放置步骤:将晶圆置于如权利要求1至5中任一项所述的加热盘上;

制成步骤:注入等离子气体,使所述等离子气体与所述晶圆正面的光刻胶进行灰化去除反应,并产生挥发性物质;

多次进行所述制成步骤;

在上述过程中,所述加热盘的所述导热支撑凸点凸起支撑所述晶圆的背面。

8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述等离子气体包括氨气。

9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述等离子气体还包括氧气,所述氨气和所述氧气的用量比例在1.5:3至2.5:3之间,包括端点值。

10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,注入所述氨气的流量随着进行所述制成步骤的次数的增加而递增,每次进行所述制成步骤时注入所述氨气的流量在标准状态每分钟4000立方厘米至标准状态每分钟10000立方厘米之间,包括端点值;注入所述氧气的流量随着进行所述制成步骤的次数的增加而递减,每次进行所述制成步骤时注入所述氧气的流量在标准状态每分钟6000立方厘米至标准状态每分钟1立方厘米之间,包括端点值。

11.根据权利要求7至10中任一项所述的方法,其特征在于,在最后一次进行所述制成步骤时,所述等离子气体为纯氨气。

12.一种等离子去胶方法,其特征在于,包括:

放置步骤:将晶圆置于如权利要求1至5中任一项所述的加热盘上;

制成步骤:注入等离子气体,使所述等离子气体与所述晶圆正面的光刻胶进行灰化去除反应,并产生挥发性物质;

多次进行所述制成步骤;

在上述过程中,所述等离子气体包括氨气和氧气,注入所述氨气的流量随着进行所述制成步骤的次数的增加而递增,注入所述氧气的流量随着进行所述制成步骤的次数的增加而递减。

13.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,在最后一次进行所述制成步骤时,所述等离子气体为纯氨气。

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