[发明专利]一种量子点照明模组

权利要求书

1.一种量子点照明模组，包括量子点膜片，所述量子点膜片的材料包括量子点和分散所述量子点的基质，其特征在于，所述量子点包括量子点核，包覆所述量子点核的金属层，包覆所述金属层的半导体壳层，其中，所述金属层中的金属元素选自Zn、Hg、Al、Ga和In中的一种或多种。

2.根据权利要求1所述的量子点照明模组，其特征在于，所述量子点照明模组还包括：背光源、透镜、与背光源两端分别电连接的第一电极和第二电极；所述量子点膜片叠放在所述背光源的上表面；所述背光源和量子点膜片均设置在所述透镜的内部。

3.根据权利要求1所述的量子点照明模组，其特征在于，所述量子点膜片为蓝色量子点膜片，所述蓝色量子点膜片中的量子点为蓝光量子点，所述量子点核的直径为2-4nm，所述金属层中的金属元素选自Zn或Ga。

4.根据权利要求1所述的量子点照明模组，其特征在于，所述量子点膜片为红色量子点膜片和绿色量子点膜片，所述红色量子点膜片中的量子点为红光量子点，所述量子点核的粒径为4-6nm，所述金属层中的金属元素选自Zn或Ga；所述绿色量子点膜片中的量子点为绿光量子点，所述量子点核的粒径为4-6nm，所述金属层中的金属元素选自Zn或Ga。

5.根据权利要求1所述的量子点照明模组，其特征在于，所述量子点核的材料选自III-V族半导体材料或III-V族半导体材料与II-VI族半导体材料所组成的合金半导体材料。

6.根据权利要求1所述的量子点照明模组，其特征在于，所述半导体壳层的材料为II-VI族半导体材料；

和/或所述半导体壳层的II-VI族半导体材料选自ZnSe、ZnS、ZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSe、HgS、HgTe、HgSeS、HgSeTe和HgSTe中的一种。

7.根据权利要求1所述的量子点照明模组，其特征在于，所述量子点核的材料选自InP或InGaP，所述金属层中的金属元素选自Zn或Ga。

8.根据权利要求1所述的量子点照明模组，其特征在于，所述量子点核的材料为III-V族半导体材料和II-VI族半导体材料所组成的合金半导体材料，所述金属层的金属元素选自Zn；

和/或所述III-V族半导体材料和II-VI族半导体材料所组成的合金半导体材料选自InPZnS、InPZnSe、InPZnSeS、InGaPZnSe、InGaPZnS和InGaPZnSeS中的一种。

9.根据权利要求1所述的量子点照明模组，其特征在于，所述基质为无机材料、有机材料中的一种或多种。

10.根据权利要求9所述的量子点照明模组，其特征在于，所述基质为玻璃、凝胶、聚合物中的一种或多种。