[发明专利]大尺寸高功率脉冲晶闸管

权利要求书

1.一种大尺寸高功率脉冲晶闸管，其特征在于：包括芯片（1）、绝缘胶圈（2）、阴极钼片（3）、阳极钼片（4）、门极组件（5）、管壳上封接件（6）和管壳下封接件（7）；所述芯片（1）为硅基PNPN四层三端结构，包括阳极发射区P型层（8）、长基区N型层（9）、短基区P型层（10）和阴极区N型层（11）；所述芯片（1）两个端面镀金属薄层（13）以连接外电极，其中阴极面的门极（14）、放大门极和阴极（17）同轴，门极（14）位于轴心中心区，门极（14）与放大门极相邻，放大门极包括放大门极中心区（15）和放大门极分布区（16），放大门极分布区（16）与阴极（17）交叉排布；其特征是：所述芯片（1）、绝缘胶圈（2）、阴极钼片（3）、阳极钼片（4）、门极组件（5）、管壳上封接件（6）和管壳下封接件（7）采用悬浮式组装和压接封装；所述芯片（1）直径为4英寸～8英寸；所述放大门极中心区（15）外缘与阴极（17）的阴极区的交界线（18）位于20%芯片（1）直径以外，放大门极分布区（16）呈雪花型排列。

2.根据权利要求1所述的一种大尺寸高功率脉冲晶闸管，其特征是：所述的长基区N型层（9）为穿通型结构，芯片（1）的长基区总厚度小于或等于空间电荷层扩展长度。

3.根据权利要求1或2所述的一种大尺寸高功率脉冲晶闸管，其特征是：所述的芯片（1）阳极发射区P型层（8）采用短路结构，重掺杂阳极发射区P型层（8）通过在长基区N型层（9）开窗口形成，阳极发射区P型层（8）的面积大于长基区N型层（9），阳极发射区P型层（8）和长基区N型层（9）的表面是通过金属薄层短路连接的。