[发明专利]具有物理气相沉积形成氮化铝缓冲层的氮化镓类发光二极管的制造有效
| 申请号： | 201711365233.1 | 申请日： | 2011-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN107964647B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 朱鸣伟;维韦卡·阿格拉沃尔;纳格·B·帕蒂班德拉;奥姆卡尔姆·纳兰姆苏 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/56;C23C16/34;C23C28/04;C30B23/02;C30B25/08;C30B29/40;H01L21/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 物理 沉积 形成 氮化 缓冲 发光二极管 制造 | ||
1.一种制造发光二极管结构的方法，所述方法包含以下步骤：
在多腔室系统的第一物理气相沉积腔室中在硅或蓝宝石衬底上方形成钨层，所述第一物理气相沉积腔室具有钨靶；
在所述多腔室系统的第二物理气相沉积腔室中在所述钨层上方形成氮化铝层，其中形成所述氮化铝层包括在范围在从20℃至低于200℃的衬底温度从安置于所述第二物理气相沉积腔室中的氮化铝靶非反应性溅射；以及
在所述多腔室系统的第三腔室中在所述氮化铝层上形成无掺杂的氮化镓层或n型的氮化镓层。
2.如权利要求1的方法，其中在所述第三腔室中形成所述无掺杂的氮化镓层或n型的氮化镓层的步骤包含以下步骤：在第一金属有机化学气相沉积腔室中形成。
3.如权利要求2的方法，所述方法进一步包含以下步骤：
在所述多腔室系统的第二金属有机化学气相沉积腔室中在所述无掺杂的氮化镓层或n型的氮化镓层上方形成多量子阱结构；以及
在所述多腔室系统的第三金属有机化学气相沉积腔室中在所述多量子阱结构上方形成p型的氮化铝镓层或p型的氮化镓层。
4.如权利要求1的方法，所述方法进一步包含以下步骤：
在所述氮化铝层上形成所述无掺杂的氮化镓层或n型的氮化镓层之前，在快速热处理腔室中退火所述氮化铝层。
5.一种制造发光二极管(LED)结构的方法，所述方法包含以下步骤：
在多腔室系统的第一物理气相沉积(PVD)腔室中在硅或蓝宝石衬底上方形成钨(W)层，所述第一物理气相沉积(PVD)腔室具有钨靶；
在所述多腔室系统的第二PVD腔室中在所述钨(W)层上方形成氮化铝层；和
在所述多腔室系统的第三腔室中在所述氮化铝层上形成无掺杂的氮化镓层或n型的氮化镓层。
6.如权利要求5的方法，其中在所述第三腔室中形成所述无掺杂的氮化镓层或n型的氮化镓层的步骤包含以下步骤：在第一金属有机化学气相沉积(MOCVD)腔室中形成。
7.如权利要求6的方法，所述方法进一步包含以下步骤：
在所述多腔室系统的第二MOCVD腔室中在所述无掺杂的氮化镓层或n型的氮化镓层上方形成多量子阱(MQW)结构；以及
在所述多腔室系统的第三MOCVD腔室中在所述多量子阱(MQW)结构上方形成p型的氮化铝镓层或p型的氮化镓层。
8.如权利要求5的方法，其中在所述第三腔室中形成所述无掺杂的氮化镓层或n型的氮化镓层的步骤包含以下步骤：在氢化物气相外延(HVPE)腔室中形成。
9.如权利要求5的方法，其中形成所述氮化铝层的步骤包含以下步骤：在范围在20℃至200℃的衬底温度下形成。
10.如权利要求5的方法，其中形成所述氮化铝层的步骤包含以下步骤：在范围在200℃至1200℃的衬底温度下形成。
11.如权利要求5的方法，所述方法进一步包含以下步骤：
在所述氮化铝层上形成所述无掺杂的氮化镓层或n型的氮化镓层之前，在快速热处理(RTP)腔室中退火所述氮化铝层。
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