[发明专利]多面超声波清洗机及硅片清洗方法

权利要求书

1.多面超声清洗机，用于超声清洗硅片，其特征在于，所述多面超声清洗机具有清洗槽以及设置于所述清洗槽的多个超声震板，所述清洗槽用于放置硅片，所述多个超声震板包括至少一个底超声震板和多个侧超声震板，所述底超声震板位于所述硅片的底部，所述多个侧超声震板相对设置于所述硅片的两侧。

2.根据权利要求1所述的多面超声清洗机，其特征在于，每个所述侧超声震板均沿所述硅片的厚度方向设置。

3.根据权利要求1所述的多面超声清洗机，其特征在于，所述超声震板内具有多个不同频率的超声振子，每个所述超声振子的超声频率为10khz-850khz。

4.根据权利要求3所述的多面超声清洗机，其特征在于，多个所述超声振子错位等间距排列于所述超声震板，多个所述超声振子沿第一方向等间隔设置，形成超声振子组，多个所述超声振子组在所述超声震板上依次设置。

5.根据权利要求4所述的多面超声清洗机，其特征在于，多个所述超声振子组沿第二方向等间隔设置，所述第二方向垂直于第一方向，沿第二方向，相邻的两个超声振子组中，一个超声振子组的超声振子正对另一个超声振子组的两个超声振子之间的间隙。

6.硅片超声清洗方法，其特征在于，包括步骤：

提供待清洗的硅片和如权利要求1-5任一项所述的多面超声清洗机；

将所述待清洗的硅片放入所述多面超声清洗机的清洗槽内，使所述底超声震板位于所述硅片的底部，所述多个侧超声震板相对设置于所述硅片的两侧；以及

利用所述多个超声震板的超声振动作用清洗所述待清洗的硅片。

7.根据权利要求6所述的硅片超声清洗方法，其特征在于，将所述待清洗的硅片放入所述清洗槽内，所述硅片的厚度方向与每个所述侧超声震板的设置方向相同。

8.根据权利要求7所述的硅片超声清洗方法，其特征在于，利用多个超声震板的超声振动作用清洗所述待清洗的硅片时，调节超声振子的功率使所述超声震板的功率密度为0.2-4w/cm²，调节超声振子的频率使所述超声振子的超声频率为10khz-850khz。

9.根据权利要求6所述的硅片超声清洗方法，其特征在于，所述待清洗的硅片通过花篮放置于所述清洗槽内，所述花篮具有至少一个插槽，所述硅片设置于所述插槽中。

10.根据权利要求9所述的硅片超声清洗方法，其特征在于，所述花篮为多个，所述多个花篮在所述清洗槽内依次设置，形成多行和/或多列，并且设置为一层或多层。