[发明专利]Bi2

权利要求书

1.一种Bi₂O_xSe纳米片，其特征在于，是垂直生长于基底上的纳米片，纳米片的厚度为10～100nm，0＜x＜2。

2.根据权利要求1所述的Bi₂O_xSe纳米片，其特征在于，所述纳米片的横向尺寸为1～50μm，所述基底为云母、蓝宝石、SiO₂/Si基底中的一种。

3.根据权利要求1或2所述的Bi₂O_xSe纳米片，其特征在于，所述纳米片的形状为三角形或近似三角形，其横向尺寸为1～30μm。

4.权利要求1～3任一项所述的Bi₂O_xSe纳米片的制备方法，其特征在于，包括操作：

将Bi₂O₃源和Bi₂Se₃源的粉末和基底分别置于单温区管式炉的中心、上游和下游，用化学气相沉积的方法，在基底上进行生长，然后自然冷却至室温；

所述单温区管式炉的中心温度为580～700℃，上游的温度为500～600℃，下游的温度为550～650℃；

化学气相沉积过程中，所述单温区管式炉持续通入氩气，氩气的流量为50～100sccm。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述单温区管式炉的炉管为石英管，放入反应原料之后，用氩气清洗所述的石英管。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述单温区管式炉的中心温度为600～670℃，上游的温度为525～590℃，下游的温度为580～620℃。

7.根据权利要求4～6任一项所述的制备方法，其特征在于，化学气相沉积的时间为5～60min。

8.权利要求1～3任一项所述的Bi₂O_xSe纳米片在近红外光电探测器的制备中的应用。