[发明专利]具备EDAC功能SRAM的软错误率预计方法与系统

说明书

本发明涉及电子器件辐射效应领域，特别是涉及一种具备EDAC功能SRAM的软错误率预计方法与系统，通过获取具备EDAC功能SRAM器件的原始软错误率；获取所述具备EDAC功能SRAM器件的目标软错误率与所述原始软错误率的关联关系；根据所述原始软错误率和所述关联关系获取所述目标软错误率。在本方案中，可以根据所述SRAM器件的原始软错误率以及目标软错误率与所述原始软错误率之间的关系，获得具备EDAC功能SRAM器件的目标软错误率，可以提高具备EDAC功能SRAM器件空间软错误率预计结果的准确度。

技术领域

本发明涉及电子器件辐射效应领域，特别是涉及一种具备EDAC功能SRAM的软错误率预计方法与系统。

背景技术

地球所处的宇宙环境中充满着各种银河宇宙射线，太阳宇宙射线和地磁场俘获带中的高能质子、α粒子和重离子，容易使各种电子器件发生单粒子效应，造成电子器件的各种故障。在多种单粒子效应类型之中，单粒子翻转所带来的故障数量所占的比例最大。

单粒子翻转是指高能带电粒子射入半导体器件灵敏区，使器件逻辑状态翻转为相反状态，从而使存储的信息出错，这种错误称为空间软错误。为了提高电子器件应对单粒子效应的处理能力，需要对空间软错误率进行有效分析。

传统技术中采用RPP/IRPP(Rectangular ParallelePiped/IntegralRectangular ParallelePiped，立方体/积分立方体)模型进行空间单粒子效应的预测，该模型仅考虑单个灵敏体积，认为只要单个灵敏体积中的电荷收集量超过临界电荷，发生单粒子效应，就会引起软错误；而对于具备EDAC(Error Detection and Correction，错误检测与纠正)功能SRAM(Static Random Access Memory，静态随机存取存储器)器件，即使单个灵敏体积发生了单粒子效应，由于采用了EDAC的加固措施，所述单个灵敏体积引起的错误可以得到纠正，仅当单个刷新周期内、单个字内发生多个错误时才会导致软错误，即需考虑多个灵敏体积。因此，利用传统RPP/IRPP模型获取具备EDAC功能SRAM器件空间软错误率时，得到的结果准确度较低。

发明内容

基于此，有必要针对利用传统RPP/IRPP模型获取具备EDAC功能SRAM器件空间软错误率时，得到的结果准确度较低的问题，提供一种具备EDAC功能SRAM的软错误率预计方法与系统。

一种具备EDAC功能SRAM的软错误率预计方法，包括以下步骤：

获取具备EDAC功能SRAM器件的原始软错误率，所述原始软错误率为所述具备EDAC功能SRAM器件在关闭EDAC功能时在空间应用条件下的软错误率；

获取所述具备EDAC功能SRAM器件的目标软错误率与所述原始软错误率的关联关系，所述目标软错误率为所述具备EDAC功能SRAM器件在开启EDAC功能时在空间应用条件下的软错误率；

根据所述原始软错误率和所述关联关系获取所述具备EDAC功能SRAM器件目标软错误率。

在其中一个实施例中，所述获取具备EDAC功能SRAM器件的原始软错误率的步骤包括以下步骤：

关闭所述具备EDAC功能SRAM器件的EDAC功能；

利用地面加速器对已关闭EDAC功能的SRAM器件进行辐照，获取所述具备EDAC功能SRAM器件的单粒子翻转截面参数；

获取辐照过程所使用粒子的粒子参数；

根据所述粒子参数以及所述单粒子翻转截面参数获取所述原始软错误率。

在其中一个实施例中，所述获取具备EDAC功能SRAM器件的目标软错误率与所述原始软错误率的关联关系的步骤包括以下步骤：