[发明专利]热屏及单晶硅生长炉结构

权利要求书

1.一种用于单晶硅生长炉的热屏，其特征在于，所述热屏设置于所述单晶硅生长炉的熔体坩埚上部，所述热屏包括双层屏底及双层屏壁，所述双层屏底及所述双层屏壁包覆有保温材料，所述双层屏底具有供所述熔体提拉通过的窗口，所述双层屏底包含上层以及下层，所述上层沿水平面设置，所述下层与所述水平面呈一角度倾斜与所述上层相交于所述窗口的周缘，且所述下层的底面偏向所述熔体坩埚内部。

2.根据权利要求1所述的用于单晶硅生长炉的热屏，其特征在于：所述双层屏底的上层以及所述双层屏壁的内层包含第一热反射系数的第一石墨层，所述双层屏底的下层以及所述双层屏壁的外层包含第二热反射系数的第二石墨层，所述第一热反射系数小于所述第二热反射系数的二分之一。

3.根据权利要求2所述的用于单晶硅生长炉的热屏，其特征在于：所述第一石墨层的所述第一热反射系数介于0～0.2之间，所述第二石墨层的所述第二热反射系数介于0.8～1之间。

4.根据权利要求1所述的用于单晶硅生长炉的热屏，其特征在于：所述双层屏壁的形状包含圆筒形状，所述双层屏壁的内径范围介于330mm～380mm之间，所述双层屏壁的外径范围介于500mm～750mm之间。

5.根据权利要求4所述的用于单晶硅生长炉的热屏，其特征在于：所述双层屏底的形状包含圆环形状，所述双层屏底的内径范围介于330mm～380mm之间，所述双层屏底的外径范围介于500mm～750mm之间。

6.根据权利要求1所述的用于单晶硅生长炉的热屏，其特征在于：所述保温材料包含碳纤维毡。

7.根据权利要求1～6任意一项所述的用于单晶硅生长炉的热屏，其特征在于：所述双层屏底的所述下层与所述上层之间的夹角介于15°～60°之间。

8.一种单晶硅生长炉结构，其特征在于，所述生长炉结构包括：

炉体，包括炉体壁以及腔体，所述腔体由所述炉体壁所包围；

熔体坩埚，设置于所述腔体内，用以承载熔体；

加热器，设置所述腔体内且分布于所述熔体坩埚外周，用以提供所述熔体坩埚的热场；

以及

热屏，设置于所述熔体坩埚上部，包括双层屏底及双层屏壁，所述双层屏底及所述双层屏壁包覆有保温材料，所述双层屏底具有供所述熔体提拉通过的窗口，所述双层屏底包含上层以及下层，所述上层沿水平面设置，所述下层与所述水平面呈一角度倾斜与所述上层相交于所述窗口的周缘，且所述下层的底面偏向所述熔体坩埚内部。

9.根据权利要求8所述的单晶硅生长炉结构，其特征在于：所述双层屏底的上层以及所述双层屏壁的内层包含第一热反射系数的第一石墨层，所述双层屏底的下层以及所述双层屏壁的外层包含第二热反射系数的第二石墨层，所述第一热反射系数小于所述第二热反射系数的二分之一。

10.根据权利要求9所述的单晶硅生长炉结构，其特征在于：所述第一石墨层的所述第一热反射系数介于0～0.2之间，所述第二石墨层的所述第二热反射系数介于0.8～1之间。

11.根据权利要求8所述的单晶硅生长炉结构，其特征在于：所述双层屏壁的形状包含圆筒形状，所述双层屏壁的内径范围介于330mm～380mm之间，所述双层屏壁的外径范围介于500mm～750mm之间。

12.根据权利要求8所述的单晶硅生长炉结构，其特征在于：所述双层屏底的形状包含圆环形状，所述双层屏底的内径范围介于330mm～380mm之间，所述双层屏底的外径范围介于500mm～750mm之间。

13.根据权利要求8所述的单晶硅生长炉结构，其特征在于：所述双层屏底及所述双层屏壁包含内部连通的空腔，且所述空腔内填充有所述保温材料，所述空腔的宽度范围介于150mm～350mm之间。