[发明专利]一种去除单晶硅棒表面机械损伤层的装置及方法

权利要求书

1.一种去除单晶硅棒表面机械损伤层的方法，其特征在于，该方法中所使用的装置包括腐蚀槽和喷淋式清洗水管，其中，腐蚀槽分为三个相互隔绝、尺寸不同的长方体形腐蚀槽；每个腐蚀槽相对的两侧壁上分别设有螺孔，每个螺孔上穿设有螺杆，螺杆位于槽内的一端连接夹持块，所述夹持块具有与单晶尺寸和形状相匹配的卡槽；两个夹持块夹持单晶棒的两端，通过旋转螺杆使夹持块夹紧单晶硅棒；螺杆位于槽外的一端通过连接杆连接旋转电机，旋转电机驱动螺杆带动单晶硅棒和夹持块旋转；在腐蚀槽的所述两侧壁的上沿分别设有喷淋式清洗水管，水管上设有调节水流量的开关，且有多个喷嘴均匀分布在水管上；该方法包括以下步骤：

(1)将单晶硅棒置于与之尺寸匹配的腐蚀槽内，旋转螺杆将单晶硅棒夹持在夹持块之间；

(2)将腐蚀剂倒入腐蚀槽，直至腐蚀剂没过单晶硅棒；所述腐蚀剂为由氢氟酸、硝酸组成，氢氟酸的质量浓度为40％-42％，硝酸的质量浓度为65％-68％，氢氟酸与硝酸的体积比为1:(3.9～4.3)；

(3)打开旋转电机开关，设置转速与旋转方向切换周期，转速为5-10rpm，切换周期为1-2min，腐蚀时间为5-15min；

(4)将腐蚀剂排放至回收槽，并对单晶硅棒进行清洗，控制喷嘴的水流量为500-1000mL/min。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述三个长方体形腐蚀槽的清洗水管单独控制开关。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述喷嘴喷射雾状水流，相邻喷嘴之间的距离为80-100mm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述旋转电机调节单晶硅棒的旋转方向和旋转速度。