[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括步骤：

在衬底基板上形成对位标记；

对所述对位标记背向所述衬底基板的一面进行表面疏水处理，使得所述对位标记背向所述衬底基板的表面疏水；

在所述衬底基板上沉积黑矩阵材料层，使得所述黑矩阵材料层覆盖所述衬底基板，且所述黑矩阵材料层对应于所述对位标记的位置的厚度小于所述黑矩阵材料层其它位置的厚度；或者，所述黑矩阵材料层覆盖所述衬底基板除对应于所述对位标记的位置外的其它位置；

图案化所述黑矩阵材料层形成黑矩阵。

2.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，步骤“对所述对位标记背向所述衬底基板的一面进行表面疏水处理”包括：在所述对位标记背向所述衬底基板的一面覆盖疏水薄膜层，所述疏水薄膜层的表面能低于所述对位标记的表面能。

3.如权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述疏水薄膜层为含氟高分子薄膜层、含硅高分子薄膜层或功能分子层。

4.如权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述疏水薄膜层通过气相沉积、电化学沉积、喷墨打印、喷涂、刮刀涂布或者浸渍涂布中任意一种方式形成于所述对位标记上。

5.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，步骤“对所述对位标记背向所述衬底基板的一面进行处理”包括：对所述对位标记的背向所述衬底基板的一面进行处理，在所述对位标记的背向所述衬底基板的一面形成疏水的微纳结构。

6.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板制作方法还包括步骤：在衬底基板上形成薄膜晶体管及走线，所述走线与所述对位标记通过同一制程形成。

7.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板制作方法还包括步骤：在所述黑矩阵上形成图案化的彩色光阻层及像素电极。

8.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板，设于所述衬底基板上的对位标记及层叠于所述衬底基板上的黑矩阵，所述黑矩阵覆盖所述对位标记，所述对位标记上覆盖的黑矩阵的厚度小于所述黑矩阵其他位置的厚度；或者，所述黑矩阵与所述对位标记不重合。

9.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述对位标记背离所述衬底基板的一面上覆盖有疏水薄膜层或者所述对位标记背离所述衬底基板的一面形成有疏水的微纳结构。

10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求8-9任意一项所述的阵列基板。