[发明专利]稀土磁体及其制造方法

权利要求书

1.稀土磁体，其具备

主相、

存在于所述主相周围的晶界相、以及

被夹在所述主相与所述晶界相之间的中间相，

整体组成由式Ce_pR¹_qT_{(100-p-q-r-s)}B_rM¹_s·(R²_1-xM²_x)_t表示，其中，R¹和R²为Ce以外的稀土元素，T为选自Fe、Ni和Co的一种以上，M¹为Ti、Ga、Zn、Si、Al、Nb、Zr、Mn、V、W、Ta、Ge、Cu、Cr、Hf、Mo、P、C、Mg、Hg、Ag和Au的一种以上以及不可避免的杂质，M²为与R²合金化由此使R²_1-xM²_x的熔点与R²的熔点相比降低的合金元素以及不可避免的杂质，并且

p、q、r、s和t以及x为：

11.80≤p≤12.90、

0≤q≤3.00、

5.00≤r≤20.00、

0≤s≤3.00、

1.00≤t≤11.00、和

0.10≤x≤0.50，

Ce的浓度在所述主相中比在所述中间相中高，并且

R²的浓度在所述中间相中比在所述主相中高。

2.权利要求1所述的稀土磁体，其中所述p为11.80≤p≤12.20。

3.权利要求1或2所述的稀土磁体，其中所述q为0≤q≤2.00。

4.权利要求1或2所述的稀土磁体，其中所述q为0≤q≤1.00。

5.权利要求1～4的任一项所述的稀土磁体，其中所述主相的体积率为85.00～96.20％。

6.权利要求1～5的任一项所述的稀土磁体，其中所述R¹为选自Nd、Pr、Dy和Tb的一种以上。

7.权利要求1～6的任一项所述的稀土磁体，其中所述R²为选自Nd、Pr、Dy和Tb的一种以上。

8.权利要求1～7的任一项所述的稀土磁体，其中所述Ce的浓度在所述主相中是在所述中间相中的1.5～10.0倍高。

9.权利要求1～8的任一项所述的稀土磁体，其中所述R²的浓度在所述中间相中是在所述主相中的1.5～10.0倍高。

10.权利要求1～9的任一项所述的稀土磁体，其中所述x为0.20≤x≤0.40。

11.权利要求1～10的任一项所述的稀土磁体，其中所述中间相的厚度为5～50nm。

12.权利要求1～11的任一项所述的稀土磁体，其中所述T为Fe。