[发明专利]一种抗反射高透明超疏水自洁膜及其制备方法在审
申请号: | 201711371442.7 | 申请日: | 2017-12-14 |
公开(公告)号: | CN108219169A | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 张立志;职晶慧 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | C08J5/18 | 分类号: | C08J5/18;C08J7/06;C08J7/00;C08G65/26;C08G59/50;C08L71/02;C08L63/00 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 何淑珍 |
地址: | 511458 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 超疏水 高透明 抗反射 自洁膜 制备 抗反射层 环氧基硅烷偶联剂 预处理 胺类固化剂 耐强酸强碱 工业应用 基材表面 加热处理 去离子水 有机溶剂 硅溶胶 透光率 致孔剂 烘干 涂覆 配制 浸泡 冷却 剥离 取出 | ||
1.一种抗反射高透明超疏水自洁膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)将环氧基硅氧烷偶联剂加入到有机溶剂中,搅拌混合均匀后,加入胺类固化剂和去离子水,搅拌20~50min,然后加入致孔剂,继续搅拌1~3h,得到抗反射层溶液;
(2)将硅源加入到有机溶剂中,搅拌30~60min均匀分散,加入硅氧烷试剂、氨水和蒸馏水,继续搅拌120~130min混合均匀,老化,得到硅溶胶;
(3)将步骤(1)制备的抗反射层溶液经涂膜仪涂覆于经预处理后的基材表面,经煅烧处理后,冷却至室温,再浸泡于步骤(2)制备的硅溶胶中,取出,烘干,得到所述抗反射高透明超疏水自洁膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述环氧基硅氧烷偶联剂是指含有甲氧基、乙氧基、氯基和乙酰氧基中的至少一种基团以及环氧基团的有机硅烷化合物,包括γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、3-(2,3-环氧丙氧)丙基三乙氧基硅烷和2-(3,14-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述有机溶剂包括甲醇、乙醇、丙酮和异丙醇中的至少一种;所述胺类固化剂为十八胺、乙二胺、己二胺、二乙烯三胺和三乙烯四胺中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述致孔剂包括聚乙烯基吡咯烷酮、聚乙二醇、聚乙烯醇、羟丙基纤维素、聚氨酯、聚二烯丙基二甲基氯化铵、聚丙烯酸和聚烯丙基胺盐酸盐中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,按重量份数计,各物料组分的加入量如下:环氧基硅烷偶联剂2~6份,有机溶剂30~60份,胺类固化剂0.1~3份,去离子水0.5~3份,致孔剂0.6~5份;步骤(1)操作过程保持在恒温25~40℃下进行。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,所述硅源包括正硅酸乙酯或三甲氧基硅烷;所述有机溶剂包括甲醇、乙醇、丙酮和异丙醇中的至少一种;所述硅氧烷试剂包括六甲基二硅胺烷、甲基三甲氧基硅烷、甲基三氯硅烷或三甲基氯硅烷;所述氨水的浓度为0.898g/ml~0.907g/ml。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,按重量份数计,各物料组分的加入量为:硅源4.6~5.4份,有机溶剂60.0~75.0份,硅氧烷试剂4.0~4.6份,氨水0~2.0份,蒸馏水4.0~8.2份;所述老化在室温下老化2天以上,老化后的溶胶用与溶胶的体积比为0~10∶1的乙醇稀释。
8.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)中,所述涂覆的层数为1~7层,使涂覆的总厚度在0~150nm之间;所述煅烧处理是在300~600℃煅烧120~180min。
9.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)中,所述浸泡的时间为0.5~24h;所述烘干是在60~80℃烘5~30min。
10.由权利要求1~9任一项所述制备方法制得的一种抗反射高透明超疏水自洁膜。
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