[发明专利]一种采用专用清洗液的硅片的清洗方法

权利要求书

1.一种采用专用清洗液的硅片的清洗方法，包括以下步骤：

1)将硅片放入清水中进行浸泡10分钟，温度为40摄氏度，并同时结合超声波振荡进行粗洗，去除明显的杂质；

2)将硅片用成分比为H2SO4:H2O2＝4:1的酸性液清洗，去除和分解有机物；

3)超纯水冲洗2分钟，同时利用高频电场改变水的分子结构，增强冲洗效果；

4)用成分比为H2O:H2O2:NH4OH＝8:2:1的碱性清洗液清洗；

5)将硅片放入纯水中反复喷淋冲洗6-9分钟，温度为45-60摄氏度，

6)配置清洗液备用，所述清洗液包括以下重量份的成分：

将上述重量份的成分进行混合，加入100重量份的去离子水中进行搅拌，即成；

7)采用所述步骤6所述的清洗剂进行清洗，温度为55-60摄氏度，同时配合超声波振荡，清洗时间为9-18分钟；

8)去离子水进行漂洗3分钟，溢流，温度为40摄氏度；

9)无尘风干。

2.根据权利要求1所述的清洗工艺，其中，所述步骤2中的清洗时间为3分钟。

3.根据权利要求1或者2所述的清洗工艺，其中，所述步骤5中的清洗时间为8分钟，温度为50摄氏度。

4.根据权利要求1-3所述的清洗工艺，其中，所述步骤7的清洗时间为10分钟。