[发明专利]具有气体密封的化学沉积室

权利要求书

1.一种具有气体密封的化学沉积室，其包括：

喷头模块和基座模块，所述基座模块被配置为支撑面板下方的晶片腔中的半导体衬底；

所述面板中的气体入口，其被配置为将工艺气体输送至所述晶片腔；

主排放气体出口，其被配置为从所述晶片腔中去除反应气体化学物质和惰性气体；

在所述晶片腔的外周处的环形台阶和惰性气体供给装置，所述惰性气体供给装置被构造成输送惰性密封气体以在所述环形台阶和所述基座模块之间的间隙中形成气体密封；以及

位于所述主排放气体出口的径向外侧的次排放气体出口，所述次排放气体出口被构造成去除通过所述间隙径向向内流动的所述惰性气体中的至少一些。

2.根据权利要求1所述的化学沉积室，其中所述气体入口位于所述面板的内部中，而所述主排放气体出口位于所述面板的外部中。

3.根据权利要求1所述的化学沉积室，其中所述主排放气体出口和所述次排放气体出口位于所述环形台阶的下表面中。

4.根据权利要求1所述的化学沉积室，其还包括围绕所述面板的隔离环，所述环形台阶包括所述隔离环的下部。

5.根据权利要求1所述的化学沉积室，其中所述主排放气体出口与连接到真空压力源的压力控制节流阀流体连通。

6.根据权利要求5所述的化学沉积室，其中所述次排放气体出口与恒定的真空压力源流体连通。

7.根据权利要求1所述的化学沉积室，其中所述间隙具有从所述晶片腔的外边缘至所述台阶的外边缘的约5.0mm至25.0mm的宽度。

8.根据权利要求1所述的化学沉积室，其中，所述主排放气体出口位于围绕所述面板的隔离环中，所述隔离环包括主排放气体通道，所述主排放气体通道与在所述隔离环与所述喷头模块的背板的外周之间的环形充气室连通。

9.根据权利要求1所述的化学沉积室，其中所述次排放气体出口位于围绕所述面板的隔离环中，所述隔离环包括内环和外环，所述次排放气体通道与在所述内环的外表面和所述外环的内表面之间的环形充气室连通。

10.一种用于遏制反应气体化学物质从化学沉积室的晶片腔逸出的方法，所述方法包括：

(a)将半导体衬底支撑在基座模块上；

(b)使工艺气体流过喷头模块的面板的气体入口；

(c)通过主排放气体出口从所述晶片腔中抽出气体；

(d)通过使惰性气体流过所述喷头模块的台阶的下表面中的密封气体出口，使得在所述台阶与所述基座模块之间的间隙中保持气体密封；以及

(e)经由次排放气体出口抽出径向向内流过所述间隙的所述惰性气体中的至少一些。