[发明专利]一种化合物半导体硅基混合器件及其制备方法

权利要求书

1.一种化合物半导体硅基混合器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在第一衬底上依次形成牺牲层、半导体功能层，形成第一组件；

将第二衬底划分为光波导区和键合区，在所述光波导区上形成光波导结构，在所述键合区形成对准组件；

在所述键合区表面形成键合凸台；

将所述第一组件设置在所述键合区上，所述半导体功能层与所述键合凸台相键合，所述半导体功能层靠近所述光波导区的侧壁与所述光波导结构的端面耦合。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成所述对准组件的步骤包括：

对所述键合区进行图案化并刻蚀，形成沟槽；

对所述沟槽进行图案化并刻蚀，形成若干立柱。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述键合凸台的高度大于所述对准组件的高度。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述将所述第一组件设置在所述键合区上步骤之前，还包括对所述第一组件进行切割，使其大小与所述键合区适配的步骤。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述将所述第一组件设置在所述键合区上步骤之前，还包括对所述半导体功能层靠近所述光波导区的侧壁进行解理的步骤。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述半导体功能层包括外延生长的第一半导体层，有源层以及第二半导体层，所述第一半导体层靠近所述牺牲层设置。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的制备方法，其特征在于，还包括剥离所述牺牲层的步骤。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述化合物半导体层为砷类化合物层或铟类化合物层；所述键合凸台为金属钯凸台或金锡合金凸台。

9.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度为20nm至150nm；减薄后的所述第一衬底的厚度为95μm至115μm。

10.一种硅基化合物半导体混合集成器件，其特征在于，根据权利要求1至9中任一项所述的制备方法所制备。