[发明专利]蚀刻液组合物及使用它的薄膜晶体管显示面板的制造方法

说明书

本发明涉及一种蚀刻液组合物及使用它的薄膜晶体管显示面板的制造方法。一实施例所涉及的蚀刻液组合物包含8重量％至20重量％的过硫酸盐、0.1重量％至10重量％的磷酸或亚磷酸、0.1重量％至5重量％的磷酸盐化合物、0.1重量％至6重量％的单氮类环状化合物、0.1重量％至5重量％的磺酸类化合物、0.1重量％至2重量％的唑类化合物及余量的水，所述唑类化合物与所述单氮类环状化合物的含量比为1:1至1:2。

技术领域

本发明涉及一种蚀刻液组合物及使用它的薄膜晶体管显示面板的制造方法。

背景技术

一般而言，显示装置中使用的显示面板包括薄膜晶体管、与所述薄膜晶体管连接的信号布线及像素电极，其中所述薄膜晶体管为用于驱动各像素区域的开关元件。所述信号布线包括：栅极布线，用于传递栅极驱动信号；和数据布线，与所述栅极布线交叉且用于传递数据驱动信号。

薄膜晶体管由作为栅极布线的一部分的栅极电极和用于形成沟道的半导体层、作为数据布线的一部分的源极电极及漏极电极构成。薄膜晶体管为如下的开关元件：即，根据由栅极布线传递的栅极信号而将由数据布线传递的数据电压传递给像素电极或阻断由数据布线传递的数据电压。

在制造薄膜晶体管时，首先在基板上层压金属层以作为栅极或源极/漏极电极用布线材料，之后进行通过具有腐蚀性的气体或溶液来削去这些金属层而实现所需的电路线路的蚀刻过程。

此外，能够通过在源极、漏极电极层上层压透明物质以作为像素电极材料,并蚀刻由层压后的透明物质构成的层而形成像素电极。如此，由于源极、漏极电极和像素电极的形成由各个独立的工序构成，并且需要在各个步骤中蚀刻源极、漏极电极和像素电极，因此工序时间较长。

发明内容

本发明的实施例为了能够同时形成像素电极和栅极线而提供一种对铜具有高蚀刻选择性的蚀刻液组合物及使用它的薄膜晶体管显示面板的制造方法。

一实施例所涉及的蚀刻液组合物包含8重量％至20重量％的过硫酸盐、0.1重量％至10重量％的磷酸或亚磷酸、0.1重量％至5重量％的磷酸盐化合物、0.1重量％至6重量％的单氮类环状化合物、0.1重量％至5重量％的磺酸类化合物、0.1重量％至2重量％的唑类化合物及余量的水，所述唑类化合物与所述单氮类环状化合物的含量比为1:1至1:2。

所述蚀刻液组合物进一步包含0.1重量％至2重量％的三氮类环状化合物，所述三氮类环状化合物可以是选自由5-巯基-3-氨基-1,2,4-三唑、3-氨基-1,2,4-三唑、3-巯基-1,2,4-三唑和3-氨基-1,2,4-三唑-5-硫醇组成的组中的一种以上。

所述磷酸盐化合物与所述磷酸的含量比或所述磷酸盐化合物与所述亚磷酸的含量比可以是1:1至1:2。

所述过硫酸盐可以是选自由过硫酸铵、过硫酸钠和过硫酸钾组成的组中的一种以上。

所述磷酸盐化合物可以是选自由磷酸三钠、磷酸二氢钠、磷酸氢钠、磷酸三钾、磷酸二氢钾、磷酸二钾、磷酸铵、磷酸二氢铵和磷酸二铵组成的组中的一种以上。

所述单氮类环状化合物可以是选自由5-氧代脯氨酸和噻唑组成的组中的一种以上。

所述磺酸类化合物可以是选自由甲磺酸、氨基磺酸、对甲苯磺酸和苯磺酸组成的组中的一种以上。

所述唑类化合物可以是选自由氨基四唑、甲基四唑、咪唑和吡唑组成的组中的一种以上。

所述蚀刻液组合物的铜蚀刻速度可以是130埃/秒以上。

所述蚀刻液组合物的透明电极蚀刻速度可以是2埃/秒以下。