[发明专利]一种半导体激光器及其制备方法

说明书

本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体激光器及其制备方法，其中，该半导体激光器包括：衬底；并列形成在衬底上的检测组件和发光组件；发光组件中的有源层在检测组件上的投影，落入检测组件中的吸收层的范围内。通过并列设置的检测组件和发光组件，能够降低检测组件与发光组件的对准难度，同时使得该半导体激光器能够自带功率检测功能，使用范围较广；且发光组件中的有源层在检测组件上的投影，落入检测组件中的吸收层的范围内，从发光组件发出的光线沿检测组件与发光组件的排列方向进入检测组件进行检测，即从发光组件发出的光线侧入射进入检测组件的吸收层，延长了光线在检测组件中的路径，进而能够提高检测组件的检测精度。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体激光器及其制备方法。

背景技术

半导体激光器(Laser Diode，简称为LD)，具有芯片尺寸小，电光转换效率高的优点，在固体激光泵浦、激光加工、激光医疗以及激光雷达等领域应用极其广泛。

其中，半导体激光器的额定功率大小是激光工艺参数的重要指标，只有合适的激光功率才能保证激光器和光路系统长时间的稳定工作，同时也是实现激光器最佳加工质量的决定因素。

因此，现有技术中为了能够实时检测激光器的功率，在激光器的非出光端面装入一个探测器，用来测量激光器的漏光功率；然后，根据经验参数，推测出激光器实际的出光功率。具体地，将单独制备好的激光器和探测器，混合集成到一个系统内，从激光器的有源层中发出的光线，被探测器的吸收层吸收，然后探测器根据吸收的光线，进行漏光功率的检测。

然而，上述技术方案中，探测器和激光器是单独加工的，为了提高漏光功率检测的准确性，需要激光器的有源层与探测器的吸收区精确对位，存在较大困难。另一方面，目前所用探测器，一般为面入射探测器，其入射光方向垂直于衬底，而边发射的激光器，其出光方向与衬底面平行，因此，难以将探测器和激光器放置于同一平面上。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中半导体激光器的出光功率检测精度低的缺陷。

鉴于此，本发明提供一种半导体激光器，包括：

衬底；

并列形成在所述衬底上的检测组件和发光组件；

所述发光组件中的有源层在所述检测组件上的投影，落入所述检测组件中的吸收层的范围内。

可选地，所述发光组件在靠近所述检测组件的一侧设置有第一功能层，在远离所述检测组件的一侧设置有第二功能层。

可选地，所述有源层在所述第一功能层上的投影，落入所述第一功能层的范围内；

和/或，

所述有源层在所述第二功能层上的投影，落入所述第二功能层的范围内。

可选地，所述第一功能层为反射层，所述第二功能层为增透层。

可选地，所述发光组件包括层叠设置的第一半导体层，所述有源层以及第二半导体层，所述第一半导体层靠近所述衬底设置。

可选地，还包括层叠设置在所述第二半导体层上的第一电极层。

可选地，所述检测组件包括层叠设置的第三半导体层，所述吸收层，以及第四半导层，所述第三半导体层靠近所述衬底设置。

可选地，还包括层叠设置在所述第四半导体层上的第二电极层。

可选地，还包括层叠设置在所述衬底远离所述发光组件的一侧的第三电极层。

本发明还提供一种半导体激光器的制备方法，包括：

提供衬底，所述衬底划分出发光组件区和检测组件区；