[发明专利]一种超浸润高灵敏电化学微芯片作为电化学生物传感器的应用

权利要求书

1.一种超浸润高灵敏电化学微芯片作为电化学生物传感器的应用，其特征在于，采用双电极体系，以所述超浸润高灵敏电化学微芯片为工作电极，Ag/AgCl为对电极，在所述超浸润高灵敏电化学微芯片的超亲水位点滴加检测液，通过差分脉冲伏安法得到电化学曲线；

其中，所述超浸润高灵敏电化学微芯片自下而上依次包括：ITO玻璃、钛层、金层、纳米枝状金层、超疏水表面；所述钛层、金层通过磁溅射法依次沉积在所述ITO玻璃导电一面；所述纳米枝状金层通过电化学法沉积到所述金层上；所述超疏水表面通过溶液浸泡修饰在所述纳米枝状金层上；所述超疏水表面上设有用于固定微液滴的超亲水位点，所述超亲水位点的直径尺寸为0.5-2.0mm；

所述超浸润高灵敏电化学微芯片的制备方法中包括，修饰超浸润表面：将得到的纳米枝状金基底浸泡在具有乙醇和叔十二硫醇的溶液中12-24h，取出并用乙醇冲洗，自然风干得到超疏水基底；通过光掩模板法用等离子清洗仪照射，未被模板遮住的地方超疏水修饰被破坏变成超亲水位点。

2.如权利要求1所述的超浸润高灵敏电化学微芯片作为电化学生物传感器的应用，其特征在于，所述超浸润高灵敏电化学微芯片的超疏水表面的基底接触角为151.9±1.6°；所述超亲水位点的亲水表面接触角为0°。

3.如权利要求1所述的超浸润高灵敏电化学微芯片作为电化学生物传感器的应用，其特征在于，所述超浸润高灵敏电化学微芯片的制备方法为：

步骤一、制备纳米枝状金基底：将ITO玻璃洗净干燥，利用磁控溅射方法在ITO玻璃导电一面沉积一层钛，再沉积一层金；将沉积得到的ITO/Ti/Au基底浸泡在氯金酸溶液中，用电化学沉积的方法得到纳米枝状金基底；

步骤二、修饰超浸润表面：将得到的纳米枝状金基底浸泡在具有乙醇和叔十二硫醇的溶液中12-24h，取出并用乙醇冲洗，自然风干得到超疏水基底；通过光掩模板法用等离子清洗仪照射，未被模板遮住的地方超疏水修饰被破坏变成超亲水位点。

4.如权利要求3所述的超浸润高灵敏电化学微芯片作为电化学生物传感器的应用，其特征在于，步骤一中，所述电化学沉积采用三电极体系进行，以ITO玻璃为工作电极，铂片为对电极，Ag/AgCl电极为参比电极。

5.如权利要求3所述的超浸润高灵敏电化学微芯片作为电化学生物传感器的应用，其特征在于，步骤二中，用长尾夹将具有孔的光掩模板与具有超疏水表面的纳米枝状金基底夹在一起，等离子清洗仪清洗1-2min，将有孔位置修饰的叔十二硫醇破坏掉变成超亲水，盖住的区域仍为超疏水，完成对基底的超浸润修饰。