[发明专利]二级缓存检测方法及装置

说明书

技术领域

本公开涉及数据处理技术领域，尤其涉及二级缓存检测方法及装置。

背景技术

通常，二级缓存中将所有信息存储在一行，存储结构为：低位地址、高位地址、dirty标志、valid标志、数据。低位地址为一行的索引，低位地址与高位地址为完整行(cache line)地址。dirty标志表示数据是否被修改，如果被修改，则说明二级缓存中的数据与内存中的数据不一致。valid标志表示cache line是否有效。

每次根据低位地址读取一行信息，如果高位地址不对，或者valid标志无效表示cache line没有有效数据，在此情况下则一行信息中大部分信息是空的或无效的，浪费功耗较大。

发明内容

本公开实施例提供二级缓存检测方法及装置。所述技术方案如下：

根据本公开实施例的第一方面，提供一种二级缓存检测方法，所述二级缓存包括三个缓存模块：第一缓存模块存储数据对应dirty标识和valid标识；第二缓存模块存储所述数据对应的高位地址；第三缓存模块存储所述数据；

所述方法包括：

获取请求的第一地址，所述第一地址包括第一低位地址和第一高位地址；

根据所述第一低位地址查询所述第一缓存模块，获取所述第一低位地址对应的valid标识；

当根据所述valid标识判断所述第一低位地址对应的数据有效时，根据所述第一低位地址查询所述第二缓存模块，得到所述第一低位地址对应的第二高位地址；

将所述第二高位地址与所述第一高位地址进行比对；

当所述第二高位地址与所述第一高位地址相同时，确定所述二级缓存命中，当所述第二高位地址与所述第一高位地址不同时，确定所述二级缓存失效。

可选的，当所述二级缓存命中时，所述方法还包括：

根据所述第一低位地址查询所述第三缓存模块；

读取所述第一低位地址对应的数据。

可选的，当所述二级缓存命中时，所述方法还包括：

根据所述第一低位地址查询所述第三缓存模块；

在所述第三缓存模块中，所述第一低位地址对应的位置写入数据；

修改所述第一缓存模块中所述第一低位地址对应的dirty标识，使得修改后的所述dirty标识表示其对应的数据被修改过。

可选的，当所述二级缓存失效时，所述方法还包括：

采用随机淘汰策略，选择所述二级缓存中的需要替换的第一数据；

将所述第一数据回写到内存中。

根据本公开实施例的第二方面，提供一种二级缓存检测装置，所述二级缓存包括三个缓存模块：第一缓存模块存储数据对应dirty标识和valid标识；第二缓存模块存储所述数据对应的高位地址；第三缓存模块存储所述数据；

所述装置包括：

获取模块，用于获取请求的第一地址，所述第一地址包括第一低位地址和第一高位地址；

第一查询模块，用于根据所述第一低位地址查询所述第一缓存模块，得到所述第一低位地址对应的valid标识；

第二查询模块，用于当根据所述valid标识判断所述第一低位地址对应的数据有效时，根据所述第一低位地址查询所述第二缓存模块，得到所述第一低位地址对应的第二高位地址；

比对模块，用于将所述第二高位地址与所述第一高位地址进行比对；

确定模块，用于当所述第二高位地址与所述第一高位地址相同时，确定所述二级缓存命中，当所述第二高位地址与所述第一高位地址不同时，确定所述二级缓存失效。

可选的，所述装置还包括：

第三查询模块，用于当所述二级缓存命中时，根据所述第一低位地址查询所述第三缓存模块；

读取模块，用于读取所述第一低位地址对应的数据。

可选的，所述装置还包括：

第三查询模块，用于当所述二级缓存命中时，根据所述第一低位地址查询所述第三缓存模块；

写入模块，用于在所述第三缓存模块中，所述第一低位地址对应的位置写入数据；

修改模块，用于修改所述第一缓存模块中所述第一低位地址对应的dirty标识，使得修改后的所述dirty标识表示其对应的数据被修改过。

可选的，所述装置还包括：

选择模块，用于当所述二级缓存失效时，采用随机淘汰策略，选择所述二级缓存中的需要替换的第一数据；

回写模块，用于将所述第一数据回写到内存中。