[发明专利]一种使用低压脉冲的MRAM读出电路

权利要求书

1.一种使用低压脉冲的MRAM读出电路，包括排列成一排并联的多个等同的MOS管、参考单元组合、比较器和开关控制电路，其特征在于，

所述参考单元组合由k个参考单元并联，所述k个参考单元中有一部分被配置为P状态，其余的被配置成AP状态；

所述多个等同的MOS管中有k个MOS管Pb1、Pb2、…Pbk并联，然后与所述k个参考单元串联，串联连接点为B；

所述多个等同的MOS管中其余的MOS管Pa1、Pa2、...Pax分别与被读存储单元1、2、…x串联，串联连接点分别为A1、A2、…Ax；

所述比较器位于所述串联连接点Ax和所述串联连接点B两点之间，通过所述两点之间的电压差来决定所述被读存储单元x是在P状态还是AP状态，所述比较器的数量由所述被读存储单元的数量决定；

所述被读存储单元在位于所述被读存储单元所有的源极线侧的一端连接一个基准电压V_b，所述被读存储单元1、2、…x的位线侧分别连接串联连接点A1、A2、…Ax，所述参考单元组合分为第一端和第二端，所述参考单元组合的第一端连接所述串联连接点B，所述参考单元组合的第二端连接所述基准电压V_b；

所述开关控制电路用于控制所述多个等同的MOS管的通断；

在进行读操作时，所述开关控制电路把多个等同的MOS管栅极电压接通到指定的电压标准，并在所述基准电压V_b的基础上增加一电压V_read形成电压V_read+V_b，所述多个等同的MOS管分为第一端和第二端，所述多个等同的MOS管的第一端连接所述电压V_read+V_b，所述多个等同的MOS管的第二端分别连接串联连接点B、A1、A2、…Ax，所述多个等同的MOS管接通；

所述电压V_read的取值为-400mV～400mV，使得所述多个等同的MOS管工作在线性状态。