[发明专利]多频多天线阵列有效
申请号: | 201711376571.5 | 申请日: | 2017-12-19 |
公开(公告)号: | CN109904598B | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 翁金辂;李伟宇;蔡智宇 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01Q1/36 | 分类号: | H01Q1/36;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q21/00;H01Q23/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 徐协成 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多频多 天线 阵列 | ||
1.一种多频多天线阵列,其特征在于,包含:
接地导体面,其分隔出第一侧空间以及相对于该第一侧空间的第二侧空间,并且该接地导体面具有第一边缘;以及
双天线阵列,其位于该第一边缘,沿着该第一边缘延伸的方向上,该双天线阵列具有最大阵列长度,该双天线阵列包含:
第一天线,位于该第一侧空间,并包含第一共振回路及第一辐射导体线,该第一共振回路由第一信号源、第一馈入导体线、第一电容性耦合部、第一共振导体线、第一电感性接地导体部以及该第一边缘所串接而成,该第一辐射导体线电气连接于该第一共振导体线,该第一共振导体线位于该第一电容性耦合部以及该第一电感性接地导体部之间,该第一共振回路激发该第一天线产生第一共振模态,该第一辐射导体线激发该第一天线产生第二共振模态,该第一天线的该第一共振回路所激发的该第一共振模态的频率小于该第一辐射导体线所激发的该第二共振模态的频率;及
第二天线,位于该第二侧空间,并包含第二共振回路以及第二辐射导体线,该第二共振回路由第二信号源、第二馈入导体线、第二电容性耦合部、第二共振导体线、第二电感性接地导体部以及该第一边缘所串接而成,该第二辐射导体线电气连接于该第二共振导体线,该第二共振导体线位于该第二电容性耦合部以及该第二电感性接地导体部之间,该第二共振回路激发该第二天线产生第三共振模态,该第二辐射导体线激发该第二天线产生第四共振模态,该第二天线的该第二共振回路所激发的该第三共振模态的频率小于该第二辐射导体线所激发的该第四共振模态的频率;
其中,该第一天线的该第一共振回路的该第一共振导体线与该第二天线的该第二共振回路的该第二共振导体线的路径中心点连线、以及该第一天线的该第一辐射导体线与该第二天线的该第二辐射导体线的路径中心点连线互相交错,该第一天线的该第一共振回路所激发的该第一共振模态与该第二天线的该第二共振回路所激发的该第三共振模态至少涵盖相同的第一通信频段,该第一天线的该第一辐射导体线所激发的该第二共振模态与该第二天线的该第二辐射导体线所激发的该第四共振模态至少涵盖相同的第二通信频段,该第一通信频段的频率小于该第二通信频段的频率,并且该双天线阵列沿着该第一边缘延伸的最大阵列长度介于该第一通信频段的最低操作频率的0.1倍波长至0.33倍波长之间。
2.根据权利要求1所述的多频多天线阵列,其特征在于,该第一共振回路的路径长度以及该第二共振回路的路径长度均介于该第一通信频段的最低操作频率的0.15倍波长至0.35倍波长之间。
3.根据权利要求1所述的多频多天线阵列,其特征在于,该第一辐射导体线的路径长度以及该第二辐射导体线的路径长度均介于该第二通信频段的最低操作频率的0.06倍波长至0.21倍波长之间。
4.根据权利要求1所述的多频多天线阵列,其特征在于,该第一共振导体线的路径长度介于该第一共振导体线与该第一辐射导体线的路径长度总和的0.33倍至0.68倍之间。
5.根据权利要求1所述的多频多天线阵列,其特征在于,该第二共振导体线的路径长度介于该第二共振导体线与该第二辐射导体线的路径长度总和的0.33倍至0.68倍之间。
6.根据权利要求1所述的多频多天线阵列,其特征在于,该第一电容性耦合部由该第一馈入导体线以及该第一共振导体线相互耦合所组成,并且该第一馈入导体线以及该第一共振导体线之间具有第一耦合间隙,该第一耦合间隙之间距介于该第一通信频段的最低操作频率的0.001倍波长至0.039倍波长之间。
7.根据权利要求1所述的多频多天线阵列,其特征在于,该第二电容性耦合部由该第二馈入导体线以及该第二共振导体线相互耦合所组成,并且该第二馈入导体线以及该第二共振导体线之间具有第二耦合间隙,该第二耦合间隙之间距介于该第一通信频段的最低操作频率的0.001倍波长至0.039倍波长之间。
8.根据权利要求1所述的多频多天线阵列,其特征在于,该第一电容性耦合部为芯片电容元件。
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